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研究了GaN基HEMT器件表面电荷和体陷阱的变化对输出特性的影响.通过分析表面电荷与体陷阱对电流坍塌效应、饱和电流和膝点电压的影响，初步确定了其变化关系.研究结果显示表面电荷的增加能够耗尽二维电子气，减弱电流坍塌效应，降低饱和电流，使膝点电压非正常后移.同时，体陷阱的减小可以有效减弱电流坍塌效应，增大饱和电流，且膝点电压基本保持不变.晶格温度较低时，热电子效应和量子隧穿效应对电流坍塌效应影响显著.采用流体动力学模型，分析了引起电流坍塌效应的内在物理机制，并获得了器件设计和制备的优化方案.
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关键词:
- GaN-HEMT器件 /
- 电流坍塌效应 /
- 热电子效应 /
- 表面电荷
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