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低速高电荷态重离子辐照的GaN晶体表面X射线光电子能谱研究

张崇宏 张丽卿 宋银 孙友梅 韩录会 杨义涛

低速高电荷态重离子辐照的GaN晶体表面X射线光电子能谱研究

张崇宏, 张丽卿, 宋银, 孙友梅, 韩录会, 杨义涛
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  • 利用低速高电荷态Xeq+和Pbq+离子对在蓝宝石衬底上生长的GaN晶体膜样品进行辐照,并利用X射线光电子能谱(XPS)对样品表面化学组成和元素化合态进行了分析.结果表明,高电荷态离子对样品表面有显著的刻蚀作用; 经高电荷态离子辐照的GaN样品表面氮元素贫乏而镓元素富集; 随着入射离子剂量和所携带电荷数的增大,Ga—Ga键相对含量增大; 辐照后,GaN样品中Ga—Ga键对应的Ga 3d5/2电子的束缚能偏小
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10575124)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-08-22
  • 修回日期:  2009-10-30
  • 刊出日期:  2010-07-15

低速高电荷态重离子辐照的GaN晶体表面X射线光电子能谱研究

  • 1. (1)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000; (2)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000; 中国科学院研究生院,北京 100049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10575124)资助的课题.

摘要: 利用低速高电荷态Xeq+和Pbq+离子对在蓝宝石衬底上生长的GaN晶体膜样品进行辐照,并利用X射线光电子能谱(XPS)对样品表面化学组成和元素化合态进行了分析.结果表明,高电荷态离子对样品表面有显著的刻蚀作用; 经高电荷态离子辐照的GaN样品表面氮元素贫乏而镓元素富集; 随着入射离子剂量和所携带电荷数的增大,Ga—Ga键相对含量增大; 辐照后,GaN样品中Ga—Ga键对应的Ga 3d5/2电子的束缚能偏小

English Abstract

参考文献 (32)

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