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氧化锌锡薄膜晶体管的研究

王雄 才玺坤 原子健 朱夏明 邱东江 吴惠桢

氧化锌锡薄膜晶体管的研究

王雄, 才玺坤, 原子健, 朱夏明, 邱东江, 吴惠桢
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-24
  • 修回日期:  2010-06-21
  • 刊出日期:  2011-03-15

氧化锌锡薄膜晶体管的研究

  • 1. 浙江大学物理学系,硅材料国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10974174), 国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2011CB925603),浙江省自然科学基金(批准号:Z6100117, Y4080171)资助的课题.

摘要: 在ITO玻璃基底上用射频磁控溅射技术生长氧化锌锡(ZnSnO)沟道有源层、用PECVD生长SiO2薄膜作为薄膜晶体管的栅绝缘层研制了薄膜晶体管(TFT), 器件的场效应迁移率最高达到μn=9.1 cm2/(V ·s),阈值电压-2 V,电流开关比为104.

English Abstract

参考文献 (20)

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