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金属/多孔硅/单晶硅(M/PS/Si)微结构的电学特性

孙鹏 胡明 刘博 孙凤云 许路加

金属/多孔硅/单晶硅(M/PS/Si)微结构的电学特性

孙鹏, 胡明, 刘博, 孙凤云, 许路加
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  • 采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成金属电极,制备出M/PS/Si微结构.利用SEM分析多孔硅的表面形貌,通过测试其I-V特性分析M/PS/Si微结构的电学特性.结果表明:由Pt做电极形成的M/PS/Si结构,表现出非整流特性.M/PS/Si结构的I-V曲线由线性区和非线性区组成,多孔硅孔隙率越高的M/PS/Si结构的I-V特性曲线线性区越宽.由Cu做电极形成的M/PS/Si结构,表现出整流特性.其整流比随多孔硅孔隙率增加而减小.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60771019)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-07-22
  • 修回日期:  2010-08-29
  • 刊出日期:  2011-05-15

金属/多孔硅/单晶硅(M/PS/Si)微结构的电学特性

  • 1. 天津大学电子信息工程学院,天津 300072
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60771019)资助的课题.

摘要: 采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成金属电极,制备出M/PS/Si微结构.利用SEM分析多孔硅的表面形貌,通过测试其I-V特性分析M/PS/Si微结构的电学特性.结果表明:由Pt做电极形成的M/PS/Si结构,表现出非整流特性.M/PS/Si结构的I-V曲线由线性区和非线性区组成,多孔硅孔隙率越高的M/PS/Si结构的I-V特性曲线线性区越宽.由Cu做电极形成的M/PS/Si结构,表现出整流特性.其整流比随多孔硅孔隙率增加而减小.

English Abstract

参考文献 (23)

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