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高能电子辐照绝缘厚样品的表面电位动态特性

李维勤 郝杰 张海波

高能电子辐照绝缘厚样品的表面电位动态特性

李维勤, 郝杰, 张海波
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  • 采用数值计算和实验测量相结合的方法, 阐明了高能电子束照射下绝缘厚样品的表面电位和电子产额动态特性. 结果表明: 由于电子在样品内部的散射和输运, 沿着深度方向, 空间电位先缓慢下降到最小值, 然后逐渐升高并趋近于零; 随着电子束照射, 样品的表面电位逐渐下降, 可至负千伏量级, 电子总产额逐渐增大至一个接近于1的稳定值; 电子束停止照射后, 长时间放置下, 表面电位将逐渐升高, 但带电并不会消除; 表面电位随电子束能量的升高近似线性下降, 随入射角的增大而升高, 而随样品厚度的增大仅略有下降.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 11175140)和陕西省自然科学基金(批准号: 2013JM8001)资助的课题.
    [1]

    Reimer L 1993 Image Formation in Low Voltage Scanning Electron Microscopy (Bellingham: SPIE Optical Engineering Press) p71

    [2]

    Baer D R, Lea A S, Geller J D, Hammond J S, Kover L, Powell C J, Seah M P, Suzuki M, Watts J F, Wolstenholme J 2010 J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 176 80

    [3]

    Belhaj M, Paulmier T, Hanna R, Arnaout M, Balcon N, Payan D, Puech J 2014 Nucl. Instrum. Meth. B 320 46

    [4]

    Paulmier T, Dirassen B, Payan D, Eesbeek M V 2009 IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 16 682

    [5]

    Sessler G M 1998 Electrets (New York: Springer-Verlag) p22

    [6]

    Sarrailh P, Mateo-Velez J C, Roussel J F, Dirassen B, Forest J, Thiebault B, Rodgers D, Hilgers A 2012 IEEE Trans. Plasma Sci. 40 368

    [7]

    Cao M, Wang F, Liu J, Zhang H B 2012 Chin. Phys. B 21 127901

    [8]

    Quan R H, Han J W, Zhang Z L 2013 Acta Phys. Sin. 62 245205 (in Chinese) [全荣辉, 韩建伟, 张振龙 2013 物理学报 62 245205]

    [9]

    Qin X G, He D Y, Wang J 2009 Acta Phys. Sin. 58 684 (in Chinese) [秦晓刚, 贺德衍, 王骥 2009 物理学报 58 684]

    [10]

    Cazaux J 2010 J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 176 58

    [11]

    Cornet N, Goeuriot D, Guerret-Piécourt C, Juvé D, Tréheux D, Touzin M, Fitting H J 2008 J. Appl. Phys. 103 064110

    [12]

    Askri B, Raouadi K, Renoud R, Yangui B 2009 J. Electrostat. 67 695

    [13]

    Rau E I, Fakhfakh S, Andrianov M V, Evstafeva E N, Jbara O, Rondot S, Mouze Z 2008 Nucl. Instrum. Meth. B 266 719

    [14]

    Balcon N, Payan D, Belhaj M, Tondu T, Inguimbert V 2012 IEEE Trans. Plasma Sci. 40 282

    [15]

    Li W Q, Zhang H B 2010 Appl. Surf. Sci. 256 3482

    [16]

    Li W Q, Zhang H B 2010 Micron 41 416

    [17]

    Li W Q, Mu K, Xia R H 2011 Micron 42 443

    [18]

    Li W Q, Zhang H B, Lu J 2012 Acta Phys. Sin. 61 027302 (in Chinese) [李维勤, 张海波, 鲁君 2012 物理学报 61 027302]

    [19]

    Czyźewski Z, MacCallum D O, Romig A, Joy D C 1990 J. Appl. Phys. 68 3066

    [20]

    Shimizu R, Ding Z J 1992 Rep. Prog. Phys. 55 487

    [21]

    Joy D C 1995 Monte Carlo Modeling for Electron Microscopy and Microanalysis (New York: Oxford University Press) p27

    [22]

    Li Y G, Mao S F, Li H M, Xiao S M, Ding Z J 2008 J. Appl. Phys. 104 064901

    [23]

    Mao S F, Ding Z J 2010 Surf. Interf. Anal. 42 1096

    [24]

    Da B, Mao S F, Zhang G H, Ding Z J 2012 J. Appl. Phys. 112 034310

    [25]

    Desalvot A, Rosa R 1987 J. Phys. D 20 790

    [26]

    Penn D R 1987 Phys. Rev. B 35 482

    [27]

    Touzin M, Goeuriot D, Guerret-Piécourt C, Juvé D, Tréheux D, Fitting H J 2006 J. Appl. Phys. 99 114110

    [28]

    Rau E I 2008 Appl. Surf. Sci. 254 2110

    [29]

    Mizuhara Y, Kato J, Nagatomi T, Takai Y, Inoue M 2002 J. Appl. Phys. 92 6128

    [30]

    Li J J, Zhang H B, Feng R J 2007 J. Phys. D 40 826

  • [1]

    Reimer L 1993 Image Formation in Low Voltage Scanning Electron Microscopy (Bellingham: SPIE Optical Engineering Press) p71

    [2]

    Baer D R, Lea A S, Geller J D, Hammond J S, Kover L, Powell C J, Seah M P, Suzuki M, Watts J F, Wolstenholme J 2010 J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 176 80

    [3]

    Belhaj M, Paulmier T, Hanna R, Arnaout M, Balcon N, Payan D, Puech J 2014 Nucl. Instrum. Meth. B 320 46

    [4]

    Paulmier T, Dirassen B, Payan D, Eesbeek M V 2009 IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 16 682

    [5]

    Sessler G M 1998 Electrets (New York: Springer-Verlag) p22

    [6]

    Sarrailh P, Mateo-Velez J C, Roussel J F, Dirassen B, Forest J, Thiebault B, Rodgers D, Hilgers A 2012 IEEE Trans. Plasma Sci. 40 368

    [7]

    Cao M, Wang F, Liu J, Zhang H B 2012 Chin. Phys. B 21 127901

    [8]

    Quan R H, Han J W, Zhang Z L 2013 Acta Phys. Sin. 62 245205 (in Chinese) [全荣辉, 韩建伟, 张振龙 2013 物理学报 62 245205]

    [9]

    Qin X G, He D Y, Wang J 2009 Acta Phys. Sin. 58 684 (in Chinese) [秦晓刚, 贺德衍, 王骥 2009 物理学报 58 684]

    [10]

    Cazaux J 2010 J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 176 58

    [11]

    Cornet N, Goeuriot D, Guerret-Piécourt C, Juvé D, Tréheux D, Touzin M, Fitting H J 2008 J. Appl. Phys. 103 064110

    [12]

    Askri B, Raouadi K, Renoud R, Yangui B 2009 J. Electrostat. 67 695

    [13]

    Rau E I, Fakhfakh S, Andrianov M V, Evstafeva E N, Jbara O, Rondot S, Mouze Z 2008 Nucl. Instrum. Meth. B 266 719

    [14]

    Balcon N, Payan D, Belhaj M, Tondu T, Inguimbert V 2012 IEEE Trans. Plasma Sci. 40 282

    [15]

    Li W Q, Zhang H B 2010 Appl. Surf. Sci. 256 3482

    [16]

    Li W Q, Zhang H B 2010 Micron 41 416

    [17]

    Li W Q, Mu K, Xia R H 2011 Micron 42 443

    [18]

    Li W Q, Zhang H B, Lu J 2012 Acta Phys. Sin. 61 027302 (in Chinese) [李维勤, 张海波, 鲁君 2012 物理学报 61 027302]

    [19]

    Czyźewski Z, MacCallum D O, Romig A, Joy D C 1990 J. Appl. Phys. 68 3066

    [20]

    Shimizu R, Ding Z J 1992 Rep. Prog. Phys. 55 487

    [21]

    Joy D C 1995 Monte Carlo Modeling for Electron Microscopy and Microanalysis (New York: Oxford University Press) p27

    [22]

    Li Y G, Mao S F, Li H M, Xiao S M, Ding Z J 2008 J. Appl. Phys. 104 064901

    [23]

    Mao S F, Ding Z J 2010 Surf. Interf. Anal. 42 1096

    [24]

    Da B, Mao S F, Zhang G H, Ding Z J 2012 J. Appl. Phys. 112 034310

    [25]

    Desalvot A, Rosa R 1987 J. Phys. D 20 790

    [26]

    Penn D R 1987 Phys. Rev. B 35 482

    [27]

    Touzin M, Goeuriot D, Guerret-Piécourt C, Juvé D, Tréheux D, Fitting H J 2006 J. Appl. Phys. 99 114110

    [28]

    Rau E I 2008 Appl. Surf. Sci. 254 2110

    [29]

    Mizuhara Y, Kato J, Nagatomi T, Takai Y, Inoue M 2002 J. Appl. Phys. 92 6128

    [30]

    Li J J, Zhang H B, Feng R J 2007 J. Phys. D 40 826

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出版历程
  • 收稿日期:  2014-09-05
  • 修回日期:  2014-11-16
  • 刊出日期:  2015-04-05

高能电子辐照绝缘厚样品的表面电位动态特性

  • 1. 西安理工大学自动化与信息工程学院, 西安 710048;
  • 2. 西安航空学院, 西安 710077;
  • 3. 西安交通大学电子科学与技术系, 西安 710049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 11175140)和陕西省自然科学基金(批准号: 2013JM8001)资助的课题.

摘要: 采用数值计算和实验测量相结合的方法, 阐明了高能电子束照射下绝缘厚样品的表面电位和电子产额动态特性. 结果表明: 由于电子在样品内部的散射和输运, 沿着深度方向, 空间电位先缓慢下降到最小值, 然后逐渐升高并趋近于零; 随着电子束照射, 样品的表面电位逐渐下降, 可至负千伏量级, 电子总产额逐渐增大至一个接近于1的稳定值; 电子束停止照射后, 长时间放置下, 表面电位将逐渐升高, 但带电并不会消除; 表面电位随电子束能量的升高近似线性下降, 随入射角的增大而升高, 而随样品厚度的增大仅略有下降.

English Abstract

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