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开态应力下电压和电流对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的退化作用研究

石磊 冯士维 石帮兵 闫鑫 张亚民

开态应力下电压和电流对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的退化作用研究

石磊, 冯士维, 石帮兵, 闫鑫, 张亚民
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-12-10
  • 修回日期:  2015-01-30
  • 刊出日期:  2015-06-05

开态应力下电压和电流对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的退化作用研究

  • 1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院, 北京 100124
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61376077)和北京市自然科学基金(批准号:4132022,2132023)资助的课题.

摘要: 通过采集等功率的两种不同开态直流应力作用下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)漏源电流输出特性、源区和漏区大信号寄生电阻、转移特性、阈值电压随应力时间的变化, 并使用光发射显微镜观察器件漏电流情况, 研究了开态应力下电压和电流对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的退化作用. 结果表明, 低电压大电流应力下器件退化很少, 高电压大电流下器件退化较明显. 高电压是HEMTs退化的主要因素, 栅漏之间高电场引起的逆压电效应对参数的永久性退化起决定性作用. 除此之外, 器件表面损坏部位的显微图像表明低电压大电流下器件失效是由于局部电流密度过高, 出现热斑导致器件损伤引起的.

English Abstract

参考文献 (15)

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