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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究

林若兵 王欣娟 冯 倩 王 冲 张进城 郝 跃

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究

林若兵, 王欣娟, 冯 倩, 王 冲, 张进城, 郝 跃
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-18
  • 修回日期:  2007-12-05
  • 刊出日期:  2008-07-20

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体技术重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033)资助的课题.

摘要: 在不同应力条件下,研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火前后的电流崩塌、栅泄漏电流以及击穿电压的变化.结果表明,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管通过肖特基高温退火以后,器件的特性得到很大的改善.利用电镜扫描(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对高温退火前、后的肖特基接触界面进行深入分析,发现器件经过高温退火后,Ni和AlGaN层之间介质的去除,并且AlGaN材料表面附近的陷阱减少,使得肖特基有效势垒提高,从而提高器件的电学特性.

English Abstract

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