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长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

潘教青 赵 谦 朱洪亮 赵玲娟 丁 颖 王宝军 周 帆 王鲁峰 王 圩

长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

潘教青, 赵 谦, 朱洪亮, 赵玲娟, 丁 颖, 王宝军, 周 帆, 王鲁峰, 王 圩
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-09-12
  • 修回日期:  2005-10-31
  • 刊出日期:  2006-10-20

长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

  • 1. 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60176023)资助的课题.

摘要: 采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.

English Abstract

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