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一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法

冯玉春 王文欣 刘晓峰 施 炜 牛憨笨 彭冬生

一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法

冯玉春, 王文欣, 刘晓峰, 施 炜, 牛憨笨, 彭冬生
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-01-19
  • 修回日期:  2006-02-21
  • 刊出日期:  2006-07-20

一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法

  • 1. (1)深圳大学光电子学研究所,深圳 518060; (2)中国科学院西安光学精密机械研究所,西安 710068;中国科学院研究生院,北京 100049;深圳大学光电子学研究所,深圳 518060
    基金项目: 

    广东省自然科学基金(批准号:04300863),广东省关键领域重点突破项目(批准号:2B2003A107),深圳市科技计划项目(批准号:200515)资助的课题.

摘要: 采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、三维视频光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)进行分析,结果表明,在经过表面处理形成一定图案的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜明显优于在常规蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜,其(0002)面上的XRD FWHM为208.80弧秒,(1012)面上的为320.76弧秒.同时,此方法也克服了传统

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