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AlInGaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器温度特性的对比研究

陈 敏 郭 霞 关宝璐 邓 军 董立闽 沈光地

AlInGaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器温度特性的对比研究

陈 敏, 郭 霞, 关宝璐, 邓 军, 董立闽, 沈光地
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-02-21
  • 修回日期:  2006-04-03
  • 刊出日期:  2006-11-20

AlInGaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器温度特性的对比研究

  • 1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院和北京光电子技术实验室,北京 100022
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60506012),北京市教委(批准号:KZ200510005003),北京市优秀人才资助项目(批准号:2005100501502),北京市科技新星计划(批准号:2005A11),北京市科委重点项目(批准号:D0404003040221)资助的课题.

摘要: 通过测量、对比材料生长和器件制备条件基本相似,但是谐振腔腔模波长与增益峰值波长相对位置明显不同的两类氧化物限制型应变AlInGaAs/AlGaAs量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)在261—369K温度范围内输出光功率-电流的变温曲线,同时结合测试得到的两类样品的白光反射谱、光荧光谱以及模拟计算得到的不同温度下VCSEL反射谱和增益谱,分析了输出光功率、阈值电流、斜率效率和激射波长随温度变化的关系,掌握了新材料AlInGaAs的温度特性,得到了谐振腔腔模波长和增益峰值波长的相对位置对VCSEL输出特性,尤其是对阈值的影响规律,指出获得室温工作阈值最低且稳定的VCSEL的一个方法是调整谐振腔腔模波长和增益峰值波长的相对位置,并利用这种方法获得了特征温度T0=333K的AlInGaAs/AlGaAs量子阱VCSEL器件.

English Abstract

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