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Si/Gen/Si(001)异质结薄膜的掠入射荧光X射线吸收精细结构研究

潘志云 孙治湖 谢 治 闫文盛 韦世强

Si/Gen/Si(001)异质结薄膜的掠入射荧光X射线吸收精细结构研究

潘志云, 孙治湖, 谢 治, 闫文盛, 韦世强
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-07-07
  • 修回日期:  2006-09-22
  • 刊出日期:  2007-03-05

Si/Gen/Si(001)异质结薄膜的掠入射荧光X射线吸收精细结构研究

  • 1. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥 230029
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号10375059)、北京国家同步辐射实验室与合肥国家同步辐射实验室合作项目资助的课题.

摘要: 利用掠入射荧光X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了在400℃的温度下分子束外延生长的Si/Gen/Si(001)异质结薄膜(n=1,2,4和8个原子层)中Ge原子的局域环境结构.结果表明,在1至2个Ge原子层(ML)生长厚度的异质结薄膜中,Ge原子的第一近邻配位主要是Si原子.随着Ge原子层厚度增加到4ML,Ge原子的最近邻配位壳层中的Ge-Ge配位的平均配位数增加到1.3.当Ge原子层厚度增加到8ML时,第一配位壳层中的Ge-Ge配位占的比例只有55%.这表明在400℃的生长条件下,Ge原子有很强的迁移到Si覆盖层的能力.随着Ge层厚度从1 增加到2,4和8ML,Ge原子迁移到Si覆盖层的量由0.5ML分别增加到1.5,2.0和3.0ML.认为在覆盖Si过程中Ge原子的迁移主要是通过产生Ge原子表面偏析来降低表面能和Ge层的应变能.

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