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应变Si/(001)Si1-xGex电子迁移率

王晓艳 张鹤鸣 宋建军 马建立 王冠宇 安久华

应变Si/(001)Si1-xGex电子迁移率

王晓艳, 张鹤鸣, 宋建军, 马建立, 王冠宇, 安久华
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  • 依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1-xGex的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ2能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变Si NMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方
    • 基金项目: 国家部委项目(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103,6139801)资助的课题.
    [1]

    Hu H Y, Zhang H M, Jia X Z 2007 Chinese Journal of Semiconductors 28 36

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    Shu Zh Y, Yang H D 2006 Chin. Phys. 15 1374

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    Song J J, Zhang H M, Hu H Y, Xuan R X, Dai X Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 4958 (in Chinese) [宋建军、张鹤鸣、胡辉勇、宣荣喜、戴显英 2009 物理学报 58 4958]

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    Philippe D 1997 J. Appl. Phys. 82 3911

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    Siddhartha D, Hans K, Vassil P, Stephan E U, Siegfried S 2005 IEEE Transactions on. Electron Devices 52 527

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    Karlheinz S 1982 Semiconductor Physics: An Introduction p163

    [9]

    Phuong H N, Hofmann K R 2003 J. Appl Phys. 94 375

    [10]

    Ye L X 1992 Monte Carlo Simulation of Small-Size Devices (Beijing: Science Press) p36 9 (in Chinese) [叶良修 1992 小尺寸半导体器件的蒙特卡罗模拟.第一版(北京:科学出版社)第369页]

    [11]

    Tang J Y, Hess K 1983 J. Appl Phys. 54 5145

    [12]

    Vogelsang Th, Hofman K R 1992 IEEE Transactions on. Electron Devices 39 2641

    [13]

    Soline R Nicolas C, Frederic A, Guy F 2003 J. Appl. Phys. 94 5088

    [14]

    Liu E K, Zhu B S, Luo J S 1994 Semiconductor Physics (Beijing: Defense Industry Press) p98 (in Chinese) [刘恩科、 朱秉升、 罗晋生 1994 半导体物理学(北京:国防工业出版社)第98页]

    [15]

    Karlowatz G, Ungersboeck E, Wessner W, Kosina H 2006 IEEE 63

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    [6]

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    [15]

    Karlowatz G, Ungersboeck E, Wessner W, Kosina H 2006 IEEE 63

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出版历程
  • 收稿日期:  2010-08-03
  • 修回日期:  2010-10-16
  • 刊出日期:  2011-07-15

应变Si/(001)Si1-xGex电子迁移率

  • 1. (1)西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071;宝鸡文理学院电子电气工程系,宝鸡 721007
    基金项目: 

    国家部委项目(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103,6139801)资助的课题.

摘要: 依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1-xGex的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ2能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变Si NMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方

English Abstract

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