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应变Si/(001)Si1-xGex电子迁移率

张鹤鸣 宋建军 马建立 王冠宇 安久华 王晓艳

应变Si/(001)Si1-xGex电子迁移率

张鹤鸣, 宋建军, 马建立, 王冠宇, 安久华, 王晓艳
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-08-03
  • 修回日期:  2010-10-16
  • 刊出日期:  2011-07-15

应变Si/(001)Si1-xGex电子迁移率

  • 1. (1)西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071;宝鸡文理学院电子电气工程系,宝鸡 721007
    基金项目: 

    国家部委项目(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103,6139801)资助的课题.

摘要: 依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1-xGex的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ2能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变Si NMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方

English Abstract

参考文献 (15)

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