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InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算

杨晓杰 王 青 马文全 陈良惠

InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算

杨晓杰, 王 青, 马文全, 陈良惠
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-12-11
  • 修回日期:  2007-01-10
  • 刊出日期:  2007-09-20

InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算

  • 1. 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室,北京 100083
    基金项目: 

    中国航天科工集团三院科技创新基金(批准号:HT3Y83582005)资助的课题.

摘要: 根据八带k·p理论,在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解kx=ky=kz=0处的有效质量哈密顿H0的本征值,得到InGaAs量子点中导带中电子基态EC1,第一激发态EC2和重空穴态EHH1

English Abstract

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