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氧流量对热蒸发CVD法生长β-Ga2O3纳米材料的结构及发光特性的影响

马海林 苏 庆 兰 伟 刘雪芹

氧流量对热蒸发CVD法生长β-Ga2O3纳米材料的结构及发光特性的影响

马海林, 苏 庆, 兰 伟, 刘雪芹
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-03-30
  • 修回日期:  2008-05-12
  • 刊出日期:  2008-11-20

氧流量对热蒸发CVD法生长β-Ga2O3纳米材料的结构及发光特性的影响

  • 1. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 50402024,50872047)资助的课题.

摘要: 用热蒸发CVD法制备了β-Ga2O3纳米材料, 并用光致发光(PL)方法研究了其发光特性. X射线衍射分析显示, 产物为单斜结构的β-Ga2O3. 扫描电子显微镜测试表明: 在较小氧流量条件下制备的产物为β-Ga2O3纳米带, 宽度小于100nm, 长度有几微米; 较大氧流量时制备出β-Ga2O3纳米晶粒结构, 晶粒尺度在80—15

English Abstract

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