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纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究

孙 萍 徐 岭 赵伟明 李 卫 徐 骏 马忠元 黄信凡 陈坤基 吴良才

纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究

孙 萍, 徐 岭, 赵伟明, 李 卫, 徐 骏, 马忠元, 黄信凡, 陈坤基, 吴良才
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-07-02
  • 修回日期:  2007-08-02
  • 刊出日期:  2008-03-20

纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究

  • 1. (1)南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京 210093; (2)上海微系统和技术信息研究所,上海 200050
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10574069,60508009)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB935400和2007CB613401)资助的课题.

摘要: 采用纳米球刻蚀(nanosphere lithography)技术,以自组装的聚苯乙烯纳米小球(polystyrene,PS小球)的单层膜为掩模,制备出二维有序的CdS纳米阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)对样品结构进行了表征,用紫外—可见分光光度计对样品光学性质进行了分析.结果表明:制备的二维CdS纳米阵列是高度有序的,且与作为掩模的纳米小球的原始尺寸及排布结构一致;禁带宽度为2.60eV,相对于体材料的2.42eV,向短波长蓝移了0.18eV,表现出CdS材料在纳米结构点阵中的量子尺寸效应;CdS纳米

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