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退火对高Co含量Ti1-xCoxO2磁性半导体的影响

张 泽 宋红强 颜世申 梅良模 王 勇

退火对高Co含量Ti1-xCoxO2磁性半导体的影响

张 泽, 宋红强, 颜世申, 梅良模, 王 勇
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-10-09
  • 修回日期:  2007-11-19
  • 刊出日期:  2008-07-20

退火对高Co含量Ti1-xCoxO2磁性半导体的影响

  • 1. (1)北京工业大学,北京 100022; (2)山东大学威海分校空间科学与应用物理系,威海 264209;山东大学物理与微电子学院,济南 250100; (3)山东大学物理与微电子学院,济南 250100; (4)中国科学院物理研究所,北京 100190;澳大利亚昆士兰大学工学院,澳大利亚
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10234010,50102019)资助的课题.

摘要: 利用磁控溅射仪制备了高Co含量的Ti1-xCoxO2磁性半导体样品,并对样品分别在200℃,300℃和400℃进行退火研究.使用透射电子显微镜(TEM)对退火前后样品的结构进行表征,并用X射线光电子能谱(XPS)对退火前后样品中Co元素的化学状态进行鉴定.结果表明高Co含量的Ti1-xCoxO2磁性半导体处于一种亚稳状态,300℃以上的温度便使其结构与成分发生巨大变化.利用超导量子干涉磁强计(SQUID)测量退火前后样品的磁特性,结果表明样品的磁性有了明显的变化,这源于磁性产生的不同机理.

English Abstract

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