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亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器

劳燕锋 曹春芳 吴惠桢 曹萌 龚谦

亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器

劳燕锋, 曹春芳, 吴惠桢, 曹萌, 龚谦
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-08-23
  • 修回日期:  2008-09-10
  • 刊出日期:  2009-03-20

亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器

  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2003CB314903)的资助课题.

摘要: 设计并研制了室温连续工作的单模13 μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为051 mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为029 W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接键合技术融合InP基谐振腔和GaAs基GaAs/Al(Ga)As分布布拉格下反射腔镜,并由电子束蒸发法沉积SiO2/TiO2介质薄膜上反射腔镜形成13 μm VCSEL结构.讨论并分析了谐振腔模式与量子阱增益峰相对位置对器件性能的影响.

English Abstract

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