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样品温度对CF3+ 与Si表面相互作用影响的分子动力学模拟

Bogaerts A. 吕晓丹 赵成利 贺平逆 宁建平 秦尤敏 苟富君

样品温度对CF3+ 与Si表面相互作用影响的分子动力学模拟

Bogaerts A., 吕晓丹, 赵成利, 贺平逆, 宁建平, 秦尤敏, 苟富君
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-06-11
  • 修回日期:  2010-02-03
  • 刊出日期:  2010-10-15

样品温度对CF3+ 与Si表面相互作用影响的分子动力学模拟

  • 1. (1)比利时安特卫普大学化学系PLASMANT课题组,比利时 B-2610; (2)贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳 550025; (3)贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳 550025,贵州大学材料科学与冶金工程学院,贵阳 550003; (4)四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室,成都 610064,荷兰皇家科学院等离子体所,荷兰 2300
    基金项目: 

    贵州省优秀青年科技人才培养计划(批准号:700968101)和国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项(批准号:2009GB104006)资助的课题.

摘要: 利用分子动力学模拟方法研究了不同温度下CFx层对CF+3刻蚀Si表面过程的影响.由模拟数据可知,温度对C和F的沉积有显著的影响,通过提高样品的温度,物理刻蚀得到了加强,而化学刻蚀被减弱.同时,随着温度的升高,Si的刻蚀率相应增加.刻蚀产物中的SiF,SiF2的量随温度的增加而增加,SiF3的量与基体温度没有直接的关系.Si刻蚀率的增加主要是通过提高SiF,SiF2

English Abstract

参考文献 (24)

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