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AlxGa1-xAs:Si 中DX中心的双极化子机制及统计分析

梁迎新 金勇 李维峰 魏建华

AlxGa1-xAs:Si 中DX中心的双极化子机制及统计分析

梁迎新, 金勇, 李维峰, 魏建华
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-10-12
  • 修回日期:  2010-04-15
  • 刊出日期:  2010-12-15

AlxGa1-xAs:Si 中DX中心的双极化子机制及统计分析

  • 1. (1)法国国家科学研究中心光子学与纳米结构实验室,马库锡 91460; (2)中国人民大学物理系,北京 100872
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10604037)资助的课题.

摘要: 基于极化子和双极化子的物理图像,采用无拟合参数的巨正则统计方法计算了Si掺杂的AlxGa1-xAs的导带载流子浓度,计算得到的理论结果从高温到低温都与实验结果定量一致.计算证实了AlxGa1-xAs:Si中的DX中心的基态DX-是电子-晶格相互作用产生的负电双极化子. 处于热平衡状态时,施主Si在AlxGa1-xAs中除了电离状态,处于不同晶格构型的单、双极化子态共存,低温时双极化子态被冻结;光照下发生持续光电导时,双极化子态变成单极化子态同时向导带释放一个电子,此过程伴随着进一步的晶格弛豫.理论与实验的对照说明单电子局域的DX0态在热平衡时并不能稳定存在,这和提出的双极化子机制是完全一致的.

English Abstract

参考文献 (22)

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