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超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善

鲁庆 王文华 安霞 黄如 王思浩

超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善

鲁庆, 王文华, 安霞, 黄如, 王思浩
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-05-10
  • 修回日期:  2009-07-08
  • 刊出日期:  2010-03-15

超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善

  • 1. (1)北京大学微电子学深圳研究院,集成微系统重点实验室,北京 100871; (2)北京大学微电子学深圳研究院,集成微系统重点实验室,北京 100871;长春理工大学,微电子系,长春 130022
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60836004,60625403)和国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB302701)资助的课题.

摘要: 析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性,主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明,在辐照剂量500 krad情况下,由于器件俘获的空穴量饱和,超陡倒掺杂的改善没有那么明显.但超陡倒掺杂的阈值电压漂移量比均匀掺杂的情况小约40 mV.超陡倒掺杂有利于改善器件的总剂量辐照特性.文中还给出了用于改善器件辐照特性的超陡倒掺杂分布的优化设

English Abstract

参考文献 (20)

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