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1.5 μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长

黄晓东 周宁 段子刚 徐光辉 柴广跃

1.5 μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长

黄晓东, 周宁, 段子刚, 徐光辉, 柴广跃
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-01-31
  • 修回日期:  2010-03-16
  • 刊出日期:  2010-09-15

1.5 μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长

  • 1. (1)光讯科技有限公司,武汉 430074; (2)教育部广东省光电子器件与系统重点实验室,深圳大学,深圳 518060
    基金项目: 

    国家国际科技合作计划(批准号: 2008DFA11010)资助的课题.

摘要: 基于器件模拟仿真,设计了一种1.5 μm波长InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延结构. 其多量子阱有源区置于基区非对称波导中. 仿真结果显示该外延结构能够获得较好的光场限制和侧向电流限制. 对该材料MOCVD生长研究表明,基极重掺杂接触层中Zn2+扩散将导致量子阱严重退化. 通过对其扩散过程的模拟仿真,采用平均掺杂浓度为1×1018 cm-3的梯度掺杂,有效地抑制了Zn2+向量子阱区的扩散. 所获得的外延材料在

English Abstract

参考文献 (21)

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