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调制n型掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构的发光特性

冀子武 三野弘文 小嵨映二 秋本良一 嶽山正二郎

调制n型掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构的发光特性

冀子武, 三野弘文, 小嵨映二, 秋本良一, 嶽山正二郎
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  • 报道了调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-II QW)在极低温至室温(14—296K)条件下的各种光学性质. 反射光谱显示了对于非掺杂样品,激子(X)的跃迁起着支配作用,而只有在掺杂样品的光谱里展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征. PL光谱及其直线偏振度Pl都显著地依赖于n型掺杂量和平行于QW生长方向的外加电场. 这个特征被认为是由n型掺杂导致了内秉电场(built
    • 基金项目: 日本文部省科学研究资助特别领域研究(2)(编号:15034203)及基础研究(C)(编号:15540310)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-07-14
  • 修回日期:  2007-08-16
  • 刊出日期:  2008-05-28

调制n型掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构的发光特性

  • 1. (1)产业技术综合研究所超高速光学器件实验室,日本 305-8568; (2)东京大学物性研究所,日本 277-8581; (3)千叶大学自然科学研究科,日本 263-8522
    基金项目: 

    日本文部省科学研究资助特别领域研究(2)(编号:15034203)及基础研究(C)(编号:15540310)资助的课题.

摘要: 报道了调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-II QW)在极低温至室温(14—296K)条件下的各种光学性质. 反射光谱显示了对于非掺杂样品,激子(X)的跃迁起着支配作用,而只有在掺杂样品的光谱里展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征. PL光谱及其直线偏振度Pl都显著地依赖于n型掺杂量和平行于QW生长方向的外加电场. 这个特征被认为是由n型掺杂导致了内秉电场(built

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