Si掺杂β-Ga2O3的第一性原理计算与实验研究

张易军; 闫金良; 赵刚; 谢万峰

doi:10.7498/aps.60.037103

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(USPP)法, 在广义梯度近似(GGA)下计算了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3的能带结构、电子态密度、差分电荷密度和光学特性. 在蓝宝石衬底(0001)晶面上用脉冲激光沉积(PLD)法制备了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3薄膜, 测量了其吸收光谱和反射光

关键词:

作者及机构信息

1.
鲁东大学物理学院,烟台 264025

基金项目: 国家自然科学基金 (批准号:10974077),山东省自然科学基金 (批准号: ZR2009GM035)和山东省高等学校科技计划项目(批准号:J10LA08)资助的课题.

参考文献

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施引文献

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Si掺杂β-Ga2O3的第一性原理计算与实验研究

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1.
鲁东大学物理学院,烟台 264025

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Si掺杂β-Ga2O3的第一性原理计算与实验研究

English Abstract

First-principles calculation and experimental study of Si-doped β-Ga2O3

1.
School of Physics, Ludong University, Yantai 264025, China

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