[1] |
崔洋, 李静, 张林. 外加横向电场作用下石墨烯纳米带电子结构的密度泛函紧束缚计算. 物理学报,
2021, 70(5): 053101.
doi: 10.7498/aps.70.20201619
|
[2] |
张树东, 王传航, 唐伟, 孙阳, 孙宁泽, 孙召玉, 徐慧. TiAl电子态结构的ab initio计算. 物理学报,
2019, 68(24): 243101.
doi: 10.7498/aps.68.20191341
|
[3] |
赵书涛, 梁桂颖, 李瑞, 李奇楠, 张志国, 闫冰. ZnH分子激发态的电子结构和跃迁性质的理论计算. 物理学报,
2017, 66(6): 063103.
doi: 10.7498/aps.66.063103
|
[4] |
勾庆东, 李勇. He-He-Ba三原子体系弱束缚态计算. 物理学报,
2015, 64(19): 193102.
doi: 10.7498/aps.64.193102
|
[5] |
喻利花, 薛安俊, 董松涛, 许俊华. AlN/NbN纳米结构多层膜的共格异结构外延生长研究. 物理学报,
2010, 59(6): 4150-4155.
doi: 10.7498/aps.59.4150
|
[6] |
刘强, 程新路, 范勇恒, 杨向东. Al和N共掺p型Zn1-xMgxO电子结构的第一性原理计算. 物理学报,
2009, 58(4): 2684-2691.
doi: 10.7498/aps.58.2684
|
[7] |
胡海鑫, 张振华, 刘新海, 邱明, 丁开和. 石墨烯纳米带电子结构的紧束缚法研究. 物理学报,
2009, 58(10): 7156-7161.
doi: 10.7498/aps.58.7156
|
[8] |
魏 仑, 梅芳华, 邵 楠, 董云杉, 李戈扬. TiN/TiB2异结构纳米多层膜的共格生长与力学性能. 物理学报,
2005, 54(10): 4846-4851.
doi: 10.7498/aps.54.4846
|
[9] |
刘玉真, 罗成林. 硅团簇的结构及生长模式——紧束缚分子动力学:Si11—Si32. 物理学报,
2004, 53(2): 592-595.
doi: 10.7498/aps.53.592
|
[10] |
潘必才. 包含键环境修正的硅氢紧束缚势模型. 物理学报,
2001, 50(2): 268-272.
doi: 10.7498/aps.50.268
|
[11] |
法伟, 罗成林. 硅团簇结构和碎片行为的紧束缚理论方法. 物理学报,
2000, 49(3): 430-434.
doi: 10.7498/aps.49.430
|
[12] |
罗成林, 周延怀, 张 益. 镍原子团簇几何结构的紧束缚方法模拟 . 物理学报,
2000, 49(1): 54-56.
doi: 10.7498/aps.49.54
|
[13] |
王晓, 蔡建华. 三维紧束缚电子气的等离激元理论. 物理学报,
1993, 42(7): 1149-1156.
doi: 10.7498/aps.42.1149
|
[14] |
刘俊明. 层状共晶定向凝固. 物理学报,
1992, 41(5): 861-868.
doi: 10.7498/aps.41.861
|
[15] |
卢定伟, 孙鑫, 傅柔励, 刘杰. 荷电孤子的电子束缚态. 物理学报,
1990, 39(2): 289-295.
doi: 10.7498/aps.39.289
|
[16] |
邢彪, 孙鑫. 聚乙炔极化子的新电子束缚态. 物理学报,
1988, 37(3): 507-510.
doi: 10.7498/aps.37.507
|
[17] |
熊诗杰, 蔡建华. 关于多层超薄共格结构的导电性质. 物理学报,
1984, 33(3): 352-361.
doi: 10.7498/aps.33.352
|
[18] |
尹真, 马红儒, 薛登平, 蔡建华. f.c.c./f.c.c.LUCS的电子结构. 物理学报,
1983, 32(11): 1474-1478.
doi: 10.7498/aps.32.1474
|
[19] |
刘楣, 蔡建华. 金属-半导体多层超薄共格结构(LUCS)的电子结构. 物理学报,
1982, 31(8): 1030-1037.
doi: 10.7498/aps.31.1030
|
[20] |
徐永年. GaAs(110)面的紧束缚计算. 物理学报,
1981, 30(10): 1400-1405.
doi: 10.7498/aps.30.1400
|