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非晶半导体中杂质和缺陷态的电子统计理论

陈光华 刘惠春

非晶半导体中杂质和缺陷态的电子统计理论

陈光华, 刘惠春
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-09-13
  • 刊出日期:  2005-07-20

非晶半导体中杂质和缺陷态的电子统计理论

  • 1. 兰州大学物理系

摘要: 本文应用统计物理的方法,讨论了非晶半导体的掺杂效应,特别是在低温下的特性。在荷电的悬挂键模型下,计算了各种情况下的费密能级和电子浓度。并对两类不同的非晶半导体作了详细的讨论。

English Abstract

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