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反对称n-AlGaN层对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响

严启荣 章勇 闫其昂 石培培 郑树文 牛巧利 李述体 范广涵

反对称n-AlGaN层对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响

严启荣, 章勇, 闫其昂, 石培培, 郑树文, 牛巧利, 李述体, 范广涵
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  • 采用数值分析方法对在InGaN/GaN混合多量子阱活性层和n-GaN之间引入n-AlGaN层的GaN基双蓝光波长发光二极管进行模拟分析.结果发现,与传统的具有p-AlGaN电子阻挡层的双蓝光波长发光二极管相比,这种反对称n-AlGaN层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性及减少电子溢出,实现电子空穴在各个量子阱中的平衡辐射,从而减弱了双蓝光波长发光二极管的效率衰减.此外,通过改变Al组分可以提高双蓝光波长发光二极管发射光谱的稳定性:当Al组分为0.16时,双蓝光波长发光二极管的光谱在小电流下比较稳定,而Al组分为0.12时,光谱在大电流下比较稳定.
    • 基金项目: 教育部留学回国人员科研启动基金(批准号: 20091001)、 广东省教育部产学研结合项目(批准号: 2009B090300338)、 国家自然科学基金(批准号: 8251063101000-007)和华南师范大学学生课外科研重点课题项目(10GDKC07)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-04-15
  • 修回日期:  2011-05-31
  • 刊出日期:  2012-03-15

反对称n-AlGaN层对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响

  • 1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所, 广州 510631
    基金项目: 

    教育部留学回国人员科研启动基金(批准号: 20091001)、 广东省教育部产学研结合项目(批准号: 2009B090300338)、 国家自然科学基金(批准号: 8251063101000-007)和华南师范大学学生课外科研重点课题项目(10GDKC07)资助的课题.

摘要: 采用数值分析方法对在InGaN/GaN混合多量子阱活性层和n-GaN之间引入n-AlGaN层的GaN基双蓝光波长发光二极管进行模拟分析.结果发现,与传统的具有p-AlGaN电子阻挡层的双蓝光波长发光二极管相比,这种反对称n-AlGaN层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性及减少电子溢出,实现电子空穴在各个量子阱中的平衡辐射,从而减弱了双蓝光波长发光二极管的效率衰减.此外,通过改变Al组分可以提高双蓝光波长发光二极管发射光谱的稳定性:当Al组分为0.16时,双蓝光波长发光二极管的光谱在小电流下比较稳定,而Al组分为0.12时,光谱在大电流下比较稳定.

English Abstract

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