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N掺杂Cu2O薄膜的光学性质及第一性原理分析

濮春英 李洪婧 唐鑫 张庆瑜

N掺杂Cu2O薄膜的光学性质及第一性原理分析

濮春英, 李洪婧, 唐鑫, 张庆瑜
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-04-14
  • 修回日期:  2011-06-18
  • 刊出日期:  2012-04-15

N掺杂Cu2O薄膜的光学性质及第一性原理分析

  • 1. 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室, 大连 160024;
  • 2. 广西桂林理工大学材料科学与工程学院, 桂林 541004
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10904021)和国家重点基础研究发展计划(批准号: 2007CB616902)资助的课题.

摘要: 采用射频磁控溅射技术, 在不同温度下制备了N掺杂Cu2O薄膜.透射光谱分析发现, N掺杂导致Cu2O成为允许的带隙直接跃迁半导体, 并使Cu2O的光学禁带宽度增加.不同温度下沉积的薄膜光学禁带宽度Eg=2.52± 0.03 eV.第一性原理计算表明, N掺杂导致Cu2O的禁带宽度增加了约25%, 主要与价带顶下移和导带底上移有关, 与实验报道基本符合.N的2p电子态分布不同于O原子, 在价带顶附近具有较大的态密度是N掺杂Cu2O变成允许的带隙直接跃迁半导体的根本原因.

English Abstract

参考文献 (20)

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