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纳米非晶氮化硅键态结构的X射线径向分布函数研究

蔡树芝 牟季美 张立德 程本培

纳米非晶氮化硅键态结构的X射线径向分布函数研究

蔡树芝, 牟季美, 张立德, 程本培
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-10-17
  • 刊出日期:  2005-07-03

纳米非晶氮化硅键态结构的X射线径向分布函数研究

  • 1. (1)中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥230026; (2)中国科学院固体物理研究所,合肥230031

摘要: 本文用X射线径向分布函数法研究了室温到1000℃不同退火条件下的纳米非晶氮化硅样品的微结构和键合特征。观察到占庞大体积百分数界面不是“gas-like”结构,而是与非晶纳米粒子不同的新的短程序结构。Si—N键长和最近邻原子配位数(CN)均比传统Si3N4小,并存在大量的Si悬键和不饱和键。纳米氮化硅与传统Si3N4饱和共价键不同,是含有大量非饱和键和悬键的非典型共价键结构。由于键配位的不饱和特征,纳米非晶氮化硅的分子式应写作Si3-xN4-y。纳米非晶氮化硅出现强极性与非饱和键和悬键有密切的关系。

English Abstract

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