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采用等离子体增强化学气相沉积技术,以SiH4作为硅源, NH3和N2共同作为氮源,在单晶硅衬底上制备了不同的氮化硅薄膜. X射线衍射分析薄膜晶体结构,通过计算晶格尺寸大小证明了纳米硅颗粒的存在. 傅里叶变换红外光谱分析了薄膜中的键合作用的变化并结合化学反应过程对氮化硅薄膜中纳米硅颗粒的形成机制进行了研究,发现SiSi键作为硅纳米颗粒的初始位置, 当反应朝着生成SiSi的方向进行时,可以促进氮化硅薄膜中硅纳米颗粒的形成. X射线衍射分析和光致发光实验结果表明SiSi键浓度增大时, 所形成的纳米硅颗粒的尺寸和浓度都随之增大.
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关键词:
- 等离子体增强化学气相沉积技术 /
- 氮化硅薄膜 /
- 纳米硅颗粒 /
- 键合作用
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