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量子阱垒层掺杂变化对双波长LED调控作用研究

刘小平 范广涵 张运炎 郑树文 龚长春 王永力 张涛

量子阱垒层掺杂变化对双波长LED调控作用研究

刘小平, 范广涵, 张运炎, 郑树文, 龚长春, 王永力, 张涛
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-09-05
  • 修回日期:  2011-11-29
  • 刊出日期:  2012-07-05

量子阱垒层掺杂变化对双波长LED调控作用研究

  • 1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所, 广州 510631
    基金项目: 

    2009年广东省教育部产学研结合项目(批准号: 2009B090300338, 2010B090400192)、 教育部博士学科点专项科研基金 (批准号: 20060574007)、 广州市花都区科技项目(批准号: HD10CXY-G002, HD10CXY-G013)和 2011年广东省战略性新兴产业专项资金LED产业项目(批准号: 2010A081002005) 资助的课题.

摘要: 采用APSYS软件研究了InGaN/GaN量子阱垒层掺杂变化对双波长 发光二极管发光光谱的调控问题. 在不同掺杂类型和浓度下对器件电子空穴浓度分布、 载流子复合速率、 能带结构、 发光光谱进行分析, 结果表明, 调节量子阱垒层n型和p型的掺杂浓度可以精确而有效地根据需要调控发光光谱, 解决发光光谱调控难的问题. 这些现象归因于掺杂的量子阱垒层对电子空穴分布的调控作用.

English Abstract

参考文献 (37)

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