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不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层对双波长LED作用的研究

张运炎 范广涵

不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层对双波长LED作用的研究

张运炎, 范广涵
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-03-14
  • 修回日期:  2010-05-04
  • 刊出日期:  2011-01-15

不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层对双波长LED作用的研究

  • 1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631
    基金项目: 

    2009年省部产学研结合引导项目(批准号:2009B090300338),粤港关键领域重点突破项目(批准号:2007A010501008)和教育部博士点基金项目(批准号: 350163) 资助的课题.

摘要: 采用软件理论分析的方法对不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对发光光强、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等作用进行模拟分析. 分析结果表明,p型掺杂的GaN间隔层与量子阱垒层的引入同不掺杂和n型掺杂两种类型比较,可以大大减少溢出电子流,极大地提高各量子阱内空穴浓度,提高双波长发光二极管的发光强度,极大的改善内量子效率随电流增大而下降问题.

English Abstract

参考文献 (15)

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