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深亚微米SOI射频 LDMOS功率特性研究

毕津顺 海潮和 韩郑生

深亚微米SOI射频 LDMOS功率特性研究

毕津顺, 海潮和, 韩郑生
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-21
  • 修回日期:  2010-05-19
  • 刊出日期:  2011-01-15

深亚微米SOI射频 LDMOS功率特性研究

  • 1. 中国科学院微电子研究所,北京 100029
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 2006CB3027-01)资助的课题.

摘要: 提出了一种SOI LDMOS大信号等效电路模型,并给出了功率增益和输入阻抗表达式. 基于制备的深亚微米SOI射频LDMOS,测试了功率增益和功率附加效率. 深入研究了SOI LDMOS功率特性与栅长,单指宽度,工作电压和频率之间关系. 栅长由0.5 μm减到0.35 μm时,小信号功率增益增加44%,功率附加效率峰值增加9%. 单指宽度由20 μm增加到40 μm,600 μm /0.5 μm器件小信号功率增益降低23%,功率附加效率峰值降低9.3%. 漏端电压由3 V增加到5 V,600 μm /0.3

English Abstract

参考文献 (14)

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