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横向划痕对光场调制的近场模拟

章春来 王治国 刘春明 向霞 袁晓东 贺少勃 李莉 祖小涛

横向划痕对光场调制的近场模拟

章春来, 王治国, 刘春明, 向霞, 袁晓东, 贺少勃, 李莉, 祖小涛
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-06-16
  • 修回日期:  2012-04-28
  • 刊出日期:  2012-04-20

横向划痕对光场调制的近场模拟

  • 1. 电子科技大学物理电子学院, 成都 610054;
  • 2. 中国工程物理研究院激光聚变研究中心, 绵阳 621900
  • 通信作者: , zgwang@uestc.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10904008)、国家自然科学基金委员会与中国工程物理研究院联合科研基金(批准号: 11076008)和中央高等学校基本科研基金 (批准号: ZYGX2009X007, ZYGX2010J045, ZYGX2011J043)资助的课题.

摘要: 熔石英亚表面划痕对入射激光的近场调制是导致光学元件低阈值损伤的主要因素之一. 用三维时域有限差分方法研究了连续横向划痕的近场分布, 对比了尖锐截面与光滑截面场调制的差异, 着重探讨了光场调制与划痕宽深比R的关系. 研究表明: 酸蚀后的光滑截面有助于减弱近场调制, 这类划痕的R10.0时调制较弱且相互接近, R5.0时调制显著增强. 当R取13时, 亚表面的调制达最大值, 最大电场幅值为入射波幅值的4.3倍. 当R取1.03.5时, 缺陷附近有80%以上取样点的最大电场幅值超过入射波幅值的2倍. 随着深度的增大, 强场区具有明显的趋肤效应: 位于划痕正下方的强场区首先往左右两侧移动, 然后移向抛物口界面以及水平界面, 同时衍生出的多条增强线诱导整个亚表面层的光场增强.

English Abstract

参考文献 (13)

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