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形变充氢多晶纯钴中缺陷的正电子湮没研究

王天民 彭栋梁 童志深

形变充氢多晶纯钴中缺陷的正电子湮没研究

王天民, 彭栋梁, 童志深
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-09-20
  • 修回日期:  1990-11-28
  • 刊出日期:  2005-07-03

形变充氢多晶纯钴中缺陷的正电子湮没研究

  • 1. (1)兰州大学材料科学系,兰州730000; (2)兰州大学物理系,兰州730000; (3)中国纺织大学基础部,上海200051
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 用正电子寿命和多普勒线形参数测量技术,研究了形变和形变充氢多晶钴试样的缺陷性质及其回复行为。观察到形变样品阴极充氢后,氢致缺陷为一定量的位错和空位以及少量的空位团。没有观察到微空洞和微裂纹的产生。单空位的回复温度范围为73—260℃,位错和空位团的退火发生在350—670℃温度范围。测得空位的迁移激活能为Evm=1.09±0.07eV。

English Abstract

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