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基于1/f 噪声变化的pn结二极管辐射效应退化机理研究

孙鹏 杜磊 何亮 陈文豪 刘玉栋 赵瑛

基于1/f 噪声变化的pn结二极管辐射效应退化机理研究

孙鹏, 杜磊, 何亮, 陈文豪, 刘玉栋, 赵瑛
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  • 基于pn结二极管辐射效应退化机理中位移效应和电离效应之间的关系, 并结合pn结二极管辐射退化的噪声机理, 得到了pn结二极管辐射诱导低频噪声的变化规律, 发现两种效应引起的二极管噪声变化规律之间的不一致性. 根据实验得到的噪声变化规律, 判断出了辐射应力条件下两种效应之间的关系, 很好地解释了实验中出现的不符合原有理论解释的现象, 对器件加固的研究有着重要意义.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60276028)资助的课题.
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    Chen P X 2005 Radiation Effects on Semiconductor Devices and Integrated Circuits (National Defense Industry Press) (in Chinese) [陈盘训 2005 半导体器件和集成电路的辐射效应 (国防工业出版社)]

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    Horne W E Literatrue Search and Radiation Study on Electronic Parts (in Chinese) [霍恩 1974 辐射对电子元件器件的影响 (国防工业出版社)]

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    Wang J R, Gao Z L 1996 J. Nucl. Argic. Sci. 17 75 (in Chinese) [王锦荣, 高仲林 1996 核农学通报 17 75]

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    Zhao H F, Du L, He L 2011 Acta Phys. Sin. 60 028501 (in Chinese) [赵鸿飞, 杜磊, 何亮 2011 物理学报 60 028501]

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    Jevtic M M 1995 Microelectronics Reliability 35 1925

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    Barnaby H J, Analytical 2002 IEEE Trans. Nucl. Sci. 49 2643

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    Zhuang Y Q, Sun Q 1993 Noise and its Minimizing Technology in Semiconductor Devices (National Defense Industry Press) (in Chinese) [庄奕琪, 孙青 1993 半导体器件中的噪声及其低噪声化技术 (国防工业出版社)]

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    Liu E K, Zhu B S, Luo J S 1994 Semiconductor Physics (National Defense Industry Press) p116 (in Chinese) [刘恩科, 朱秉升, 罗晋生 1994 半导体物理学 (国防工业出版社)第116页]

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    Fan-Chi Hou, Gijs Bosman, Eddy Simoen 1998 IEEE Transaction on Electron Devices 45 2528

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    Chen W H, Du L, Zhuang Y Q 2009 Acta Phys. Sin. 58 4090 (in Chinese) [陈伟华, 杜磊, 庄奕琪 2009 物理学报 58 4090

    [13]

    Claeys C, Simoen E 2008 Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices (National Defense Industry Press) (in Chinese) [刘忠立 2008 先进半导体材料及器件的辐射效应 (国防工业出版社)]

  • [1]

    Chen P X 2005 Radiation Effects on Semiconductor Devices and Integrated Circuits (National Defense Industry Press) (in Chinese) [陈盘训 2005 半导体器件和集成电路的辐射效应 (国防工业出版社)]

    [2]

    Horne W E Literatrue Search and Radiation Study on Electronic Parts (in Chinese) [霍恩 1974 辐射对电子元件器件的影响 (国防工业出版社)]

    [3]

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    [4]

    Zhao H F, Du L, He L 2011 Acta Phys. Sin. 60 028501 (in Chinese) [赵鸿飞, 杜磊, 何亮 2011 物理学报 60 028501]

    [5]

    Jevtic M M 1995 Microelectronics Reliability 35 1925

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    Huang Y C,Liu D F 2005 Acta Phys. Sin. 54 2261 (in Chinese) [黄杨程, 刘大福 2005 物理学报 54 2261]

    [7]

    Snow E H, Grove A S, Fitzgerald D J 1967 Proceedings Of The IEEE. 55 1168

    [8]

    Barnaby H J, Analytical 2002 IEEE Trans. Nucl. Sci. 49 2643

    [9]

    Zhuang Y Q, Sun Q 1993 Noise and its Minimizing Technology in Semiconductor Devices (National Defense Industry Press) (in Chinese) [庄奕琪, 孙青 1993 半导体器件中的噪声及其低噪声化技术 (国防工业出版社)]

    [10]

    Liu E K, Zhu B S, Luo J S 1994 Semiconductor Physics (National Defense Industry Press) p116 (in Chinese) [刘恩科, 朱秉升, 罗晋生 1994 半导体物理学 (国防工业出版社)第116页]

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出版历程
  • 收稿日期:  2011-09-27
  • 修回日期:  2011-11-16

基于1/f 噪声变化的pn结二极管辐射效应退化机理研究

  • 1. 西安电子科技大学技术物理学院, 陕西西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60276028)资助的课题.

摘要: 基于pn结二极管辐射效应退化机理中位移效应和电离效应之间的关系, 并结合pn结二极管辐射退化的噪声机理, 得到了pn结二极管辐射诱导低频噪声的变化规律, 发现两种效应引起的二极管噪声变化规律之间的不一致性. 根据实验得到的噪声变化规律, 判断出了辐射应力条件下两种效应之间的关系, 很好地解释了实验中出现的不符合原有理论解释的现象, 对器件加固的研究有着重要意义.

English Abstract

参考文献 (13)

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