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Ga/N高共掺浓度对ZnO导电性能和红移影响的第一性原理研究

侯清玉 马文 迎春

Ga/N高共掺浓度对ZnO导电性能和红移影响的第一性原理研究

侯清玉, 马文, 迎春
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-03-28
  • 修回日期:  2011-04-19
  • 刊出日期:  2012-01-05

Ga/N高共掺浓度对ZnO导电性能和红移影响的第一性原理研究

  • 1. 内蒙古工业大学理学院物理系, 呼和浩特 010051;
  • 2. 内蒙古工业大学材料学院, 呼和浩特 010051
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 51062012)、内蒙古自治区自然科学基金(批准号: 2010MS0801)、内蒙古自治区高等学校科学技术研究项目(批准号: NJ10073)和内蒙古工业大学科学研究计划(批准号: ZD200916) 资助的课题.

摘要: 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 建立了未掺杂ZnO单胞和两种不同浓度的Ga/N高共掺ZnO超胞模型, 分别进行了几何结构优化、总态密度分布和能带分布的计算. 研究表明, ZnO高共掺Ga/N的条件下, Ga/N高共掺浓度越大, 导电性能越弱, 并且高掺杂后高能区红移效应显著, 计算得到的结果与实验结果的变化趋势一致.

English Abstract

参考文献 (17)

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