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Ge纳米结构的形貌与铁磁性研究

赵翠莲 甄聪棉 马丽 潘成福 侯登录

Ge纳米结构的形貌与铁磁性研究

赵翠莲, 甄聪棉, 马丽, 潘成福, 侯登录
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  • 利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了厚度不同的Ge薄膜, 随着样品厚度的减小, 样品表现出了室温铁磁性. 厚度为12 nm样品经过300 ℃退火后, 由于颗粒细化, 颗粒之间的界面增加, 界面缺陷增加, 样品表现出最大的铁磁性 (50 emu/cm3). 场冷却和零场冷却曲线测试表明居里温度约为350 K. 进行600 ℃退火后, 颗粒团聚, 样品的铁磁性最小. 当样品厚度进一步减小为6 nm时, 沉积态样品表现出铁磁性和顺磁性共存. 对6 nm厚的样品进行300 ℃退火后, 样品只具有铁磁性. 进行600 ℃退火后, 样品却只具有顺磁性. 12 nm 和6 nm 厚的Ge纳米结构薄膜随退火温度变化表现出不同的磁性规律, 我们认为是由于样品的颗粒大小和颗粒分布不同造成的. 样品越薄, Si基底与Ge薄膜之间的界面缺陷越明显, 界面缺陷以及Ge颗粒之间的界面缺陷为样品提供了未配对电子, 未配对电子的铁磁性耦合强度与样品颗粒的分布以及颗粒之间的结合有一定的关系. 颗粒之间分散或颗粒之间的融合程度大都将会降低样品的铁磁性.
    • 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号: 10804026, 51101049) 和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号: 20111303120002)资助的课题.
    [1]

    Liu X, Bauer M, Bertagnolli H, Roduner E, van Slageren J, Phillipp F 2006 Phys. Rev. Lett. 97 253401

    [2]

    Wang W C, Kong Y, He X, Liu B X 2006 Appl. Phys. Lett. 89 262511

    [3]

    Pan H, Yi J B, Shen L, Wu R Q, Yang J H, Lin J Y, Feng Y P, Ding J, Van L H, Yin J H 2007 Phys. Rev. Lett. 99 127201

    [4]

    Droghetti A, Pemmaraju C D, Sanvito S 2010 Phys. Rev. B 81 092403

    [5]

    Zhao Q, Wu P, Li B L, Lu Z M, Jiang E Y 2008 Chin. Phys. Lett. 25 1811

    [6]

    Neeleshwar S, Chen C L, Tsai C B, Chen Y Y, Chen C C 2005 Phys. Rev. B 71 201307

    [7]

    Madhu C, Sundaresan A, Rao C N R 2008 Phys. Rev. B 7 201306

    [8]

    Zakrassov A, Leitus G, Cohen S R, Naaman R 2008 Adv. Mater. 20 2552

    [9]

    Zhou J, Wang Q, Sun Q, Chen X S, Kawazoe Y, Jena P 2009 Nano Lett. 9 3867

    [10]

    Sepioni M, Nair R R, Rablen S, Narayanan J, Tuna F, Winpenny R, Geim A K, Grigorieva I V 2010 Phys. Rev. Lett. 105 207205

    [11]

    Makarova T L, Shelankov A L, Serenkov I T, Sakharov V I, Boukhvalov D W 2011 Phys. Rev. B 83 085417

    [12]

    Kopnov G, Vager Z, Naaman R 2007 Adv. Mater. 19 925

    [13]

    Yin Z G, Chen N F, Li Y, Zhang X W, Bai Y M, Chai C L, Xie Y N, Zhang J 2008 Appl. Phys. Lett. 93 142109

    [14]

    Liou Y, Su P W, Shen Y L 2007 Appl. Phys. Lett. 90 182508

    [15]

    Liou Y, Shen Y L 2008 Adv. Mater. 20 779

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    Wang W C, Kong Y, He X, Liu B X 2006 Appl. Phys. Lett. 89 262511

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    Neeleshwar S, Chen C L, Tsai C B, Chen Y Y, Chen C C 2005 Phys. Rev. B 71 201307

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    Makarova T L, Shelankov A L, Serenkov I T, Sakharov V I, Boukhvalov D W 2011 Phys. Rev. B 83 085417

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出版历程
  • 收稿日期:  2012-07-25
  • 修回日期:  2012-09-08
  • 刊出日期:  2013-02-05

Ge纳米结构的形貌与铁磁性研究

  • 1. 河北省新型薄膜材料实验室, 河北师范大学物理科学与信息工程学院, 石家庄 050024;
  • 2. 河北工程技术高等专科学校图书馆, 沧州 061001
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号: 10804026, 51101049) 和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号: 20111303120002)资助的课题.

摘要: 利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了厚度不同的Ge薄膜, 随着样品厚度的减小, 样品表现出了室温铁磁性. 厚度为12 nm样品经过300 ℃退火后, 由于颗粒细化, 颗粒之间的界面增加, 界面缺陷增加, 样品表现出最大的铁磁性 (50 emu/cm3). 场冷却和零场冷却曲线测试表明居里温度约为350 K. 进行600 ℃退火后, 颗粒团聚, 样品的铁磁性最小. 当样品厚度进一步减小为6 nm时, 沉积态样品表现出铁磁性和顺磁性共存. 对6 nm厚的样品进行300 ℃退火后, 样品只具有铁磁性. 进行600 ℃退火后, 样品却只具有顺磁性. 12 nm 和6 nm 厚的Ge纳米结构薄膜随退火温度变化表现出不同的磁性规律, 我们认为是由于样品的颗粒大小和颗粒分布不同造成的. 样品越薄, Si基底与Ge薄膜之间的界面缺陷越明显, 界面缺陷以及Ge颗粒之间的界面缺陷为样品提供了未配对电子, 未配对电子的铁磁性耦合强度与样品颗粒的分布以及颗粒之间的结合有一定的关系. 颗粒之间分散或颗粒之间的融合程度大都将会降低样品的铁磁性.

English Abstract

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