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基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计

李亚明 刘智 薛春来 李传波 成步文 王启明

基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计

李亚明, 刘智, 薛春来, 李传波, 成步文, 王启明
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-12-26
  • 修回日期:  2013-02-19
  • 刊出日期:  2013-06-05

基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计

  • 1. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61036003, 61176013, 60906035, 61177038) 和国家高技术研究发展计划 (批准号: 2011AA010302) 资助的课题.

摘要: 本文设计了一种基于Franz-Keldysh (FK) 效应的GeSi电吸收调制器. 调制器集成了脊形硅单模波导. 光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层. 在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上, 有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.19%, 从而使得器件工作在C (1528–1560 nm) 波段. 模拟结果显示该调制器的3 dB带宽可达64 GHz, 消光比为8.8 dB, 而插损仅为2.7 dB.

English Abstract

参考文献 (18)

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