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参数修改对铁电薄膜相变性质的影响

卢兆信

参数修改对铁电薄膜相变性质的影响

卢兆信
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  • 在关联有效场理论的框架内, 利用微分算子技术, 详细地计算了基于横场伊辛模型描述的对称铁电薄膜系统的相变性质. 根据薄膜各层自旋平均值构成的一系列耦合方程, 推导出可以用来计算任意层的具有不同表面层的薄膜相图的解析通式方程, 讨论了参数修改对薄膜相互作用参数从FPD (铁电相占主导地位的相图)到PPD (顺电相占主导地位的相图)过渡值和参数空间中各相变区域的影响. 在与平均场近似进行比较的结果显示, 关联有效场理论所得到的铁电薄膜的铁电性在某种程度上比平均场近似下的结果减弱.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 11247208和11205079)资助的课题.
    [1]

    Scott J F 2007 Science 315 954

    [2]

    Damjanovic D 1998 Rep. Prog. Phys. 61 1267

    [3]

    Dawber M, Rabe K M, Scott J F 2005 Rev. Mod. Phys. 77 1083

    [4]

    Zhong W L, Wang Y G, Zhang P L, Qu B D 1994 Phys. Rev. B 50 698

    [5]

    Lu T Q, Cao W W 2002 Phys. Rev. B 66 24102

    [6]

    Lin S, Lu T Q, Cao W W 2006 Phys. Stat. Sol. (b) 243 2952

    [7]

    Sun P N, Cui L, Lu T Q 2009 Chin. Phys. B 18 1658

    [8]

    Zhou Z D, Zhang C Z, Zhang Y 2010 Acta Phys. Sin. 59 6620 (in Chinese) [周志东, 张春祖, 张颖 2010 物理学报 59 6620]

    [9]

    L Y G, Liang X L, Gong Y Q, Zheng X J, Liu Z Z 2010 Acta Phys. Sin. 59 8167 (in Chinese) [吕业刚, 梁晓琳, 龚跃球, 郑学军, 刘志壮 2010 物理学报 59 8167]

    [10]

    Wang C L, Zhong W L, Zhang P L 1992 J. Phys.: Condens. Matter 4 4743

    [11]

    Wang C L, Smith S R P, Tilley D R 1994 J. Phys.: Condens. Matter 6 9633

    [12]

    Sy H K 1993 J. Phys.: Condens. Matter 5 1213

    [13]

    Wang X G, Pan S H, Yang G Z 1999 J. Phys.: Condens. Matter 11 6581

    [14]

    Tao Y M, Jiang Q, Cao H X 2005 Acta Phys. Sin. 54 0274 (in Chinese) [陶永梅, 蒋青, 曹海霞 2005 物理学报 54 0274]

    [15]

    Sun P N, Lu T Q, Chen H, Cao W W 2008 Chin. Phys. Lett. 25 3422

    [16]

    Chen H, Lu T Q, Cui L, Cao W W 2008 Physica A 387 1963

    [17]

    Zhou J, Lu T Q, Xie W G, Cao W W 2009 Chin. Phys. B 18 3054

    [18]

    Cui L, Lu T Q, Sun P N, Xue H J 2010 Chin. Phys. B 19 077701

    [19]

    Cui L, Xu Q, Han Z Y, Xu X 2012 Chin. Phys. Lett. 29 037701

    [20]

    Teng B H, Sy H K 2004 Physica B 348 485

    [21]

    Lu Z X, Teng B H, Lu X H, Zhang X J, Wang C D 2009 Solid State Commun. 149 1176

    [22]

    Lu Z X 2013 Phys. Scr. 87 025002

    [23]

    Lu Z X 2012 Physica A (submitted)

    [24]

    Wei G Z, Liu J, Miao H L, Du A 2007 Phys. Rev. B 76 054402

    [25]

    Teng B H, Sy H K 2004 Phys. Rev. B 70 104115

    [26]

    Lu Z X, Teng B H, Yang X, Rong Y H, Zhang H W 2010 Chin. Phys. B 19 127701

    [27]

    Kaneyoshi T 1993 Acta Phys. Pol. A 83 703

    [28]

    Kaneyoshi T 2003 Physica A 319 355

    [29]

    Jiang W, Lo V C 2008 Physica A 387 6778

    [30]

    Arhchoui H, El Amraoui Y, Mezzane D, Luk'yanchuk I 2009 Eur. Phys. J. Appl. Phys. 48 10503

    [31]

    Lu Z X, Teng B H, Rong Y H, Lu X H, Yang X 2010 Phys. Scr. 81 035004

  • [1]

    Scott J F 2007 Science 315 954

    [2]

    Damjanovic D 1998 Rep. Prog. Phys. 61 1267

    [3]

    Dawber M, Rabe K M, Scott J F 2005 Rev. Mod. Phys. 77 1083

    [4]

    Zhong W L, Wang Y G, Zhang P L, Qu B D 1994 Phys. Rev. B 50 698

    [5]

    Lu T Q, Cao W W 2002 Phys. Rev. B 66 24102

    [6]

    Lin S, Lu T Q, Cao W W 2006 Phys. Stat. Sol. (b) 243 2952

    [7]

    Sun P N, Cui L, Lu T Q 2009 Chin. Phys. B 18 1658

    [8]

    Zhou Z D, Zhang C Z, Zhang Y 2010 Acta Phys. Sin. 59 6620 (in Chinese) [周志东, 张春祖, 张颖 2010 物理学报 59 6620]

    [9]

    L Y G, Liang X L, Gong Y Q, Zheng X J, Liu Z Z 2010 Acta Phys. Sin. 59 8167 (in Chinese) [吕业刚, 梁晓琳, 龚跃球, 郑学军, 刘志壮 2010 物理学报 59 8167]

    [10]

    Wang C L, Zhong W L, Zhang P L 1992 J. Phys.: Condens. Matter 4 4743

    [11]

    Wang C L, Smith S R P, Tilley D R 1994 J. Phys.: Condens. Matter 6 9633

    [12]

    Sy H K 1993 J. Phys.: Condens. Matter 5 1213

    [13]

    Wang X G, Pan S H, Yang G Z 1999 J. Phys.: Condens. Matter 11 6581

    [14]

    Tao Y M, Jiang Q, Cao H X 2005 Acta Phys. Sin. 54 0274 (in Chinese) [陶永梅, 蒋青, 曹海霞 2005 物理学报 54 0274]

    [15]

    Sun P N, Lu T Q, Chen H, Cao W W 2008 Chin. Phys. Lett. 25 3422

    [16]

    Chen H, Lu T Q, Cui L, Cao W W 2008 Physica A 387 1963

    [17]

    Zhou J, Lu T Q, Xie W G, Cao W W 2009 Chin. Phys. B 18 3054

    [18]

    Cui L, Lu T Q, Sun P N, Xue H J 2010 Chin. Phys. B 19 077701

    [19]

    Cui L, Xu Q, Han Z Y, Xu X 2012 Chin. Phys. Lett. 29 037701

    [20]

    Teng B H, Sy H K 2004 Physica B 348 485

    [21]

    Lu Z X, Teng B H, Lu X H, Zhang X J, Wang C D 2009 Solid State Commun. 149 1176

    [22]

    Lu Z X 2013 Phys. Scr. 87 025002

    [23]

    Lu Z X 2012 Physica A (submitted)

    [24]

    Wei G Z, Liu J, Miao H L, Du A 2007 Phys. Rev. B 76 054402

    [25]

    Teng B H, Sy H K 2004 Phys. Rev. B 70 104115

    [26]

    Lu Z X, Teng B H, Yang X, Rong Y H, Zhang H W 2010 Chin. Phys. B 19 127701

    [27]

    Kaneyoshi T 1993 Acta Phys. Pol. A 83 703

    [28]

    Kaneyoshi T 2003 Physica A 319 355

    [29]

    Jiang W, Lo V C 2008 Physica A 387 6778

    [30]

    Arhchoui H, El Amraoui Y, Mezzane D, Luk'yanchuk I 2009 Eur. Phys. J. Appl. Phys. 48 10503

    [31]

    Lu Z X, Teng B H, Rong Y H, Lu X H, Yang X 2010 Phys. Scr. 81 035004

  • [1] 蒋 青, 曹海霞, 陶永梅. 用横场伊辛模型研究应力对铁电薄膜的热力学性质的影响. 物理学报, 2005, 54(1): 274-279. doi: 10.7498/aps.54.274
    [2] 熊昌民, 孙继荣, 王登京, 沈保根. 厚度与应变效应对La0.67Ca0.33MnO3薄膜电输运与居里温度的影响. 物理学报, 2004, 53(11): 3909-3915. doi: 10.7498/aps.53.3909
    [3] 王治国, 陈宇光, 陈 鸿, 石云龙, 徐 靖. 电荷转移型Hubbard模型的相图. 物理学报, 2005, 54(1): 307-312. doi: 10.7498/aps.54.307
    [4] 孙春峰. 镶嵌正方晶格上Gauss模型的相图. 物理学报, 2012, 61(8): 086802. doi: 10.7498/aps.61.086802
    [5] 赵红霞, 赵晖, 陈宇光, 鄢永红. 一维扩展离子Hubbard模型的相图研究. 物理学报, 2015, 64(10): 107101. doi: 10.7498/aps.64.107101
    [6] 郭灿, 王志军, 王锦程, 郭耀麟, 唐赛. 直接相关函数对双模晶体相场模型相图的影响. 物理学报, 2013, 62(10): 108104. doi: 10.7498/aps.62.108104
    [7] 刘慕仁, 孙晓燕, 汪秉宏, 李启朗. 低速十字路口交通流模型相图. 物理学报, 2010, 59(9): 5996-6002. doi: 10.7498/aps.59.5996
    [8] 许 玲, 晏世雷. 横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为研究. 物理学报, 2007, 56(3): 1691-1696. doi: 10.7498/aps.56.1691
    [9] 杨自欣, 高章然, 孙晓帆, 蔡宏灵, 张凤鸣, 吴小山. 铅基钙钛矿铁电晶体高临界转变温度的机器学习研究. 物理学报, 2019, 68(21): 210502. doi: 10.7498/aps.68.20190942
    [10] 王 强, 沈明荣, 侯 芳, 甘肇强. 烘烤温度对溶胶-凝胶法制备镧掺杂钛酸铋薄膜结构与铁电性质的影响. 物理学报, 2004, 53(7): 2373-2377. doi: 10.7498/aps.53.2373
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-12-20
  • 修回日期:  2013-02-01
  • 刊出日期:  2013-06-05

参数修改对铁电薄膜相变性质的影响

  • 1. 临沂大学机械工程学院, 临沂 276005
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 11247208和11205079)资助的课题.

摘要: 在关联有效场理论的框架内, 利用微分算子技术, 详细地计算了基于横场伊辛模型描述的对称铁电薄膜系统的相变性质. 根据薄膜各层自旋平均值构成的一系列耦合方程, 推导出可以用来计算任意层的具有不同表面层的薄膜相图的解析通式方程, 讨论了参数修改对薄膜相互作用参数从FPD (铁电相占主导地位的相图)到PPD (顺电相占主导地位的相图)过渡值和参数空间中各相变区域的影响. 在与平均场近似进行比较的结果显示, 关联有效场理论所得到的铁电薄膜的铁电性在某种程度上比平均场近似下的结果减弱.

English Abstract

参考文献 (31)

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