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肖特基势垒对CdS/CdTe薄膜电池J-V暗性能的影响

赵守仁 黄志鹏 孙雷 孙朋超 张传军 邬云华 曹鸿 王善力 褚君浩

肖特基势垒对CdS/CdTe薄膜电池J-V暗性能的影响

赵守仁, 黄志鹏, 孙雷, 孙朋超, 张传军, 邬云华, 曹鸿, 王善力, 褚君浩
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-03-24
  • 修回日期:  2013-04-22
  • 刊出日期:  2013-08-20

肖特基势垒对CdS/CdTe薄膜电池J-V暗性能的影响

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083;
  • 2. 上海太阳能电池研究与发展中心, 上海 201201;
  • 3. 华东师范大学信息科学技术学院, 上海 200241
    基金项目: 

    中国科学院知识创新工程重要方向性项目(批准号: KGCX2-YW-38, KGCX2-YW-384)和上海市2012年度"科技创新行动计划" 节能减排领域项目(批准号: 12dz1201000)资助的课题.

摘要: 采用数学模拟方法分析了不同背接触势垒高度(φb) 对于CdS/CdTe薄膜电池的J-V(电流密度-电压)方程的影响, 得出了势垒高度与roll-over的变化对应关系. 采用相应Cu/Mo背电极的CdS/CdTe薄膜电池在220-300 K的变温J-V曲线的数值分析与理论分析相对照, 分析了背势垒对于J-V曲线拟合参数的影响. 修正了φb 与反向饱和电流(Jb0)关系式, 理论与实验符合得非常好.

English Abstract

参考文献 (18)

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