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-Si:H/SiNx叠层薄膜对晶体硅太阳电池的钝化

郑雪 余学功 杨德仁

-Si:H/SiNx叠层薄膜对晶体硅太阳电池的钝化

郑雪, 余学功, 杨德仁
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  • 利用等离子增强化学气相沉积法在硅衬底上制备了 -Si:H/SiNx叠层薄膜用来钝化晶体硅太阳电池. 用有效少子寿命表征薄膜的钝化效果, 通过模拟高频电容-电压测试结果分析薄膜钝化的机理. 将-Si:H/SiNx薄膜的钝化效果与使用相同方法制备的 -Si:H薄膜进行对比, 发现 -Si:H/SiNx 薄膜的钝化效果明显优于 -Si:H薄膜. 不同温度下热处理后, -Si:H/SiNx薄膜的钝化效果随着温度的上升先提高后降低. 在最佳热处理温度300 ℃下进行热处理, -Si:H/SiNx 薄膜的钝化效果能在90 min内始终保持优于 -Si:H薄膜. 模拟计算结果表明, -Si:H/SiNx薄膜的钝化效果与 -Si:H/Si界面处的态密度有关.
    • 基金项目: 国家科技支撑计划(批准号:2011BAE03B13)和浙江省创新团队项目(批准号:2009R50005)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-05-10
  • 修回日期:  2013-05-28
  • 刊出日期:  2013-10-05

-Si:H/SiNx叠层薄膜对晶体硅太阳电池的钝化

  • 1. 浙江大学, 硅材料国家重点实验室, 杭州 310027
    基金项目: 

    国家科技支撑计划(批准号:2011BAE03B13)和浙江省创新团队项目(批准号:2009R50005)资助的课题.

摘要: 利用等离子增强化学气相沉积法在硅衬底上制备了 -Si:H/SiNx叠层薄膜用来钝化晶体硅太阳电池. 用有效少子寿命表征薄膜的钝化效果, 通过模拟高频电容-电压测试结果分析薄膜钝化的机理. 将-Si:H/SiNx薄膜的钝化效果与使用相同方法制备的 -Si:H薄膜进行对比, 发现 -Si:H/SiNx 薄膜的钝化效果明显优于 -Si:H薄膜. 不同温度下热处理后, -Si:H/SiNx薄膜的钝化效果随着温度的上升先提高后降低. 在最佳热处理温度300 ℃下进行热处理, -Si:H/SiNx 薄膜的钝化效果能在90 min内始终保持优于 -Si:H薄膜. 模拟计算结果表明, -Si:H/SiNx薄膜的钝化效果与 -Si:H/Si界面处的态密度有关.

English Abstract

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