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替代掺杂的MnNiGe1-xGax合金中马氏体相变和磁-结构耦合特性

张玉洁 刘恩克 张红国 李贵江 陈京兰 王文洪 吴光恒

替代掺杂的MnNiGe1-xGax合金中马氏体相变和磁-结构耦合特性

张玉洁, 刘恩克, 张红国, 李贵江, 陈京兰, 王文洪, 吴光恒
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-05-30
  • 修回日期:  2013-06-18
  • 刊出日期:  2013-10-05

替代掺杂的MnNiGe1-xGax合金中马氏体相变和磁-结构耦合特性

  • 1. 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室, 北京 100190
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:51171206)资助的课题.

摘要: 研究了MnNiGe1-xGax (x=00.30) 系列合金中成分、结构、马氏体相变性质和磁性的相互关系. 在较小的成分范围内, Ga取代Ge元素可有效地将马氏体相变温度降低近400 K. Ga的引入削弱了体系中的共价成键作用, 马氏体相显示出磁交换作用的增强. 相图显示, 掺杂使马氏体相变先后穿过TN 和TC 两个磁有序温度, 居里温度窗口效应在体系有存在的可能, 磁性对相变温度的成分关系有所影响. 实验观察到合金变磁转变的特性及相变行为对制备方法的敏感性. 这些特性的发现, 有利于进一步优化这类材料的磁结构和相变特性, 获得具有应用价值的新材料.

English Abstract

参考文献 (20)

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