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GaAs纳米结点电子输运性质的第一性原理计算

柳福提 程艳 陈向荣 程晓洪

GaAs纳米结点电子输运性质的第一性原理计算

柳福提, 程艳, 陈向荣, 程晓洪
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  • 运用密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法,对GaAs团簇与两半无限Au(100)-3×3电极以顶位对顶位、顶位对空位、空位对顶位、空位对空位四种不同耦合形貌构成的Au-GaAs-Au纳米结点电子输运性质进行了理论计算. 对结点在不同距离下的结构进行了几何优化,模拟了结点拉伸直至断裂的过程. 计算结果得到四种构型结点在两极距离分别为1.389 nm,1.145 nm,1.145 nm,0.861 nm时,结构最稳定. 对于各稳定结构,Ga-As键长分别为0.222 nm,0.235 nm,0.227 nm,0.235 nm,其平衡电导分别为2.33 G0,1.20 G0,1.90 G0,1.69 G0,结点具有很好的电子输运性质. 在-1.2–1.2 V的电压范围内,所有结点的电流-电压都表现出近线性关系.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:11174214,11204192)、四川省教育厅科研基金(批准号:13ZB0207)和宜宾学院重点科研基金(批准号:2013YY05)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-01-14
  • 修回日期:  2014-03-18
  • 刊出日期:  2014-07-05

GaAs纳米结点电子输运性质的第一性原理计算

  • 1. 宜宾学院物理与电子工程学院, 宜宾 644007;
  • 2. 四川大学物理科学与技术学院, 成都 610064;
  • 3. 宜宾学院计算物理四川省高校重点实验室, 宜宾 644007
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11174214,11204192)、四川省教育厅科研基金(批准号:13ZB0207)和宜宾学院重点科研基金(批准号:2013YY05)资助的课题.

摘要: 运用密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法,对GaAs团簇与两半无限Au(100)-3×3电极以顶位对顶位、顶位对空位、空位对顶位、空位对空位四种不同耦合形貌构成的Au-GaAs-Au纳米结点电子输运性质进行了理论计算. 对结点在不同距离下的结构进行了几何优化,模拟了结点拉伸直至断裂的过程. 计算结果得到四种构型结点在两极距离分别为1.389 nm,1.145 nm,1.145 nm,0.861 nm时,结构最稳定. 对于各稳定结构,Ga-As键长分别为0.222 nm,0.235 nm,0.227 nm,0.235 nm,其平衡电导分别为2.33 G0,1.20 G0,1.90 G0,1.69 G0,结点具有很好的电子输运性质. 在-1.2–1.2 V的电压范围内,所有结点的电流-电压都表现出近线性关系.

English Abstract

参考文献 (32)

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