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金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究

赵子强 韦伦存 王浩 张金宏 钟运成 卢希庭

金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究

赵子强, 韦伦存, 王浩, 张金宏, 钟运成, 卢希庭
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-05-10
  • 刊出日期:  1997-05-20

金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究

  • 1. 北京大学技术物理系重离子物理研究所
    基金项目: 

    国家自然科学基金及国家教育委员会优秀青年教师基金资助的课题.

摘要: 利用磁控溅射产生金属Cu团簇,同时蒸发半导体介质CdS,将Cu团簇包埋在CdS介质中,制备出金属颗粒半导体膜.团簇大小可通过改变溅射气压控制.用TEM研究了嵌埋团簇的结构.分析表明:CdS很好地包埋了Cu团簇,都呈多晶结构;团簇尺寸在5—20nm,Cu晶格发生了膨胀,膨胀量在7%左右

English Abstract

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