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硫掺杂C60薄膜电学性质研究

陈光华 姚江宏 王永谦 邹云娟

硫掺杂C60薄膜电学性质研究

陈光华, 姚江宏, 王永谦, 邹云娟
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-10-08
  • 刊出日期:  1997-03-05

硫掺杂C60薄膜电学性质研究

  • 1. (1)北京工业大学应用物理系;兰州大学物理系; (2)兰州大学物理系
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 对硫掺杂C60薄膜样品在433K进行真空退火,并测量了其电导率随温度的变化关系.发现硫掺杂后C60薄膜的电导激活能减小,电导率显著增大.电导率随温度的变化曲线在368K到388K的范围内,存在一个电导率与温度的关系不严格遵循指数规律的过渡区,在过渡区的两侧硫掺杂的C60薄膜则表现出明显的半导体特性,这是由于在不同温度范围内样品中硫分子的结构相变所引起的

English Abstract

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