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瞬态大电流测量结温中校温曲线弯曲现象的研究

郭春生 王琳 翟玉卫 李睿 冯士维 朱慧

瞬态大电流测量结温中校温曲线弯曲现象的研究

郭春生, 王琳, 翟玉卫, 李睿, 冯士维, 朱慧
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  • 利用脉宽250 μs、占空比5%的0–1.5 A脉冲电流, 分别在50, 70, 90, 110, 130 ℃条件下, 对TO-247-2L封装型PIN快恢复二极管大电流下的校温曲线进行了测量分析. 研究发现, 恒定大电流条件下, 二极管的校温曲线随温度变化发生弯曲. 分析表明, 弯曲现象主要是由于串联电阻受迁移率的影响随温度发生变化而引起的. 通过实验测量及理论计算, 得到了准确的非线性校温曲线, 从而减小了瞬态大电流测量结温中的误差.
      通信作者: 郭春生, guocs@bjut.edu.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61204081)资助的课题.
    [1]

    Kuball M, Riedel G J, Pomeroy J W, Sarua A, Uren M J, Martin T, Hilton K P, Maclean J O, Wallis D J 2007 IEEE 28 86

    [2]

    Profumo F, Zhu Y J 2000 Converter Technology 2 20 (in Chinese) [Profumo F, 朱咏嘉 2000 变流技术与电力牵引 2 20]

    [3]

    Rakhmatov A Z, Abdulkhaev O A, Karimov A V, Yodgorova D M 2012 J. Engineer. Phys. Thermophys. 85 836

    [4]

    Abdulkhaev O A, Yodgorova D M, Karimov A V, Karimov A A, Asanova G O 2012 J. Engineer. Phys. Thermophys. 85 851

    [5]

    Hu Z B 2014 M. S. Dissertation (Xiamen: Xiamen University) (in Chinese) [胡振邦 2014 硕士学位论文 (厦门: 厦门大学)]

    [6]

    Chen H T 2010 M. S. Dissertation (Xiamen: Xiamen University) (in Chinese) [陈焕庭 2010 硕士学位论文(厦门: 厦门大学)]

    [7]

    Zhu Y J, Miao Q H, Zhang X H, Yang L Y, Lu S J 2007 J. Semicond. 28 980 (in Chinese) [朱阳军, 苗庆海, 张兴华, Yang Lieyong, 卢烁今 2007 半导体学报 28 980]

    [8]

    Lu S J 2007 M. S. Dissertation (Shandong: Shandong University) (in Chinese) [卢烁今 2007 硕士学位论文(济南: 山东大学)]

    [9]

    Kong W X 2013 M. S. Dissertation (Nanjing: Nanjing University) (in Chinese) [孔维贤 2013 硕士学位论文(南京: 南京大学)]

    [10]

    Hu H Q, Zhang W C 2013 Electronics World 61 60 (in Chinese) [胡红钱, 张文成 2013 电子世界 61 60]

    [11]

    Liu B L, Tang Y, Luo Y F, Liu D Z, Wang R T, Wang B 2014 Acta Phys. Sin. 63 177201(in Chinese) [刘宾礼, 唐勇, 罗毅飞, 刘德志, 王瑞田, 汪波 2014 物理学报 63 177201]

    [12]

    Liu E K et al. 2010 Semicond. Phys. (Beijing: National Defense Industry Press) p97, 156 (in Chinese) [刘恩科等 2010 半导体物理学(北京: 国防工业出版社)第97, 156页]

    [13]

    Zhang Y Z 2009 Ph. D. Dissertation (Beijing: Beijing University of Technology) (in Chinese) [张跃宗 2009 博士学位论文(北京: 北京工业大学)]

    [14]

    Chen M, Hu A, Tang Y, Wang B 2012 J. Xi'an Jiaotong Univ. 46 70 (in Chinese) [陈明, 胡安, 唐勇, 汪波 2012 西安交通大学学报 46 70]

    [15]

    Chen Q, Luo X, Zhou S, Liu S 2011 Rev. Sci. Instrum. 82 084904

    [16]

    Li B Q, Liu Y H, Feng Y C 2008 Acta Phys. Sin. 57 477(in Chinese) [李炳乾, 刘玉华, 冯玉春 2008 物理学报 57 477]

  • [1]

    Kuball M, Riedel G J, Pomeroy J W, Sarua A, Uren M J, Martin T, Hilton K P, Maclean J O, Wallis D J 2007 IEEE 28 86

    [2]

    Profumo F, Zhu Y J 2000 Converter Technology 2 20 (in Chinese) [Profumo F, 朱咏嘉 2000 变流技术与电力牵引 2 20]

    [3]

    Rakhmatov A Z, Abdulkhaev O A, Karimov A V, Yodgorova D M 2012 J. Engineer. Phys. Thermophys. 85 836

    [4]

    Abdulkhaev O A, Yodgorova D M, Karimov A V, Karimov A A, Asanova G O 2012 J. Engineer. Phys. Thermophys. 85 851

    [5]

    Hu Z B 2014 M. S. Dissertation (Xiamen: Xiamen University) (in Chinese) [胡振邦 2014 硕士学位论文 (厦门: 厦门大学)]

    [6]

    Chen H T 2010 M. S. Dissertation (Xiamen: Xiamen University) (in Chinese) [陈焕庭 2010 硕士学位论文(厦门: 厦门大学)]

    [7]

    Zhu Y J, Miao Q H, Zhang X H, Yang L Y, Lu S J 2007 J. Semicond. 28 980 (in Chinese) [朱阳军, 苗庆海, 张兴华, Yang Lieyong, 卢烁今 2007 半导体学报 28 980]

    [8]

    Lu S J 2007 M. S. Dissertation (Shandong: Shandong University) (in Chinese) [卢烁今 2007 硕士学位论文(济南: 山东大学)]

    [9]

    Kong W X 2013 M. S. Dissertation (Nanjing: Nanjing University) (in Chinese) [孔维贤 2013 硕士学位论文(南京: 南京大学)]

    [10]

    Hu H Q, Zhang W C 2013 Electronics World 61 60 (in Chinese) [胡红钱, 张文成 2013 电子世界 61 60]

    [11]

    Liu B L, Tang Y, Luo Y F, Liu D Z, Wang R T, Wang B 2014 Acta Phys. Sin. 63 177201(in Chinese) [刘宾礼, 唐勇, 罗毅飞, 刘德志, 王瑞田, 汪波 2014 物理学报 63 177201]

    [12]

    Liu E K et al. 2010 Semicond. Phys. (Beijing: National Defense Industry Press) p97, 156 (in Chinese) [刘恩科等 2010 半导体物理学(北京: 国防工业出版社)第97, 156页]

    [13]

    Zhang Y Z 2009 Ph. D. Dissertation (Beijing: Beijing University of Technology) (in Chinese) [张跃宗 2009 博士学位论文(北京: 北京工业大学)]

    [14]

    Chen M, Hu A, Tang Y, Wang B 2012 J. Xi'an Jiaotong Univ. 46 70 (in Chinese) [陈明, 胡安, 唐勇, 汪波 2012 西安交通大学学报 46 70]

    [15]

    Chen Q, Luo X, Zhou S, Liu S 2011 Rev. Sci. Instrum. 82 084904

    [16]

    Li B Q, Liu Y H, Feng Y C 2008 Acta Phys. Sin. 57 477(in Chinese) [李炳乾, 刘玉华, 冯玉春 2008 物理学报 57 477]

  • [1] 王秀梅, 何济洲, 何弦, 肖宇玲. 非线性二极管系统构成的不可逆热机性能特征分析. 物理学报, 2010, 59(7): 4460-4465. doi: 10.7498/aps.59.4460
    [2] 王天舒, 张瑞德, 关哲, 巴柯, 俎云霄. 忆阻元件与RLC以及二极管串并联电路的特性研究. 物理学报, 2014, 63(17): 178101. doi: 10.7498/aps.63.178101
    [3] 左应红, 王建国, 范如玉. 二极管间隙距离对场致发射过程中空间电荷效应的影响. 物理学报, 2012, 61(21): 215202. doi: 10.7498/aps.61.215202
    [4] 吕红亮, 张义门, 张玉明. 4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究. 物理学报, 2003, 52(10): 2541-2546. doi: 10.7498/aps.52.2541
    [5] 唐文昕, 郝荣晖, 陈扶, 于国浩, 张宝顺. 1000 V p-GaN混合阳极AlGaN/GaN二极管. 物理学报, 2018, 67(19): 198501. doi: 10.7498/aps.67.20181208
    [6] 常安碧, 向 飞, 宋法伦, 康 强, 罗 敏, 李名加, 龚胜刚, 张永辉. 电功率20 GW重复频率强流电子束二极管研究. 物理学报, 2007, 56(10): 5754-5757. doi: 10.7498/aps.56.5754
    [7] 刘 鲁, 范广涵, 曹明德, 陈贵楚, 陈练辉, 廖常俊. AlGaInP四元系材料渐变异质结及其在高亮度发光二级管器件中的应用. 物理学报, 2003, 52(5): 1264-1271. doi: 10.7498/aps.52.1264
    [8] 翁 坚, 肖尚锋, 陈双宏, 戴松元. 大面积染料敏化太阳电池的实验研究. 物理学报, 2007, 56(6): 3602-3606. doi: 10.7498/aps.56.3602
    [9] 刘建朋, 朱彦旭, 郭伟玲, 闫微微, 吴国庆. ITO退火对GaN基LED电学特性的影响. 物理学报, 2012, 61(13): 137303. doi: 10.7498/aps.61.137303
    [10] 周传明, 向 飞, 甘延青, 常安碧, 刘 忠, 张永辉, 马乔生. 重复脉冲强流电子束传输技术研究. 物理学报, 2005, 54(7): 3111-3115. doi: 10.7498/aps.54.3111
    [11] 续競存, 卓济苍. 台式扩散参量二极管的串联电阻及截止频率. 物理学报, 1964, 108(4): 327-336. doi: 10.7498/aps.20.327
    [12] 续競存, 卓济苍. 双扩散参量二极管的串联电阻及截止频率. 物理学报, 1964, 110(6): 540-549. doi: 10.7498/aps.20.540
    [13] 李炳乾, 刘玉华, 冯玉春. 大功率GaN基发光二极管等效串联电阻的功率耗散及其对发光效率的影响. 物理学报, 2008, 57(1): 477-481. doi: 10.7498/aps.57.477
    [14] 招瑜, 魏爱香, 刘俊. 利用温变电容特性测量发光二极管结温的研究. 物理学报, 2015, 64(11): 118501. doi: 10.7498/aps.64.118501
    [15] 杜振辉, 李金义, 齐汝宾, 徐可欣, 刘景旺. DFB激光二极管电流-温度调谐特性的解析模型. 物理学报, 2011, 60(7): 074213. doi: 10.7498/aps.60.074213
    [16] 李宏伟, 王太宏. InAs自组装量子点GaAs肖特基二极管中的电流输运特性. 物理学报, 2001, 50(2): 262-267. doi: 10.7498/aps.50.262
    [17] 徐元华. 隧道二极管伏安曲线二次微商与直流偏压关系的测量. 物理学报, 1964, 113(9): 919-927. doi: 10.7498/aps.20.919
    [18] 陈依新, 沈光地, 高志远, 郭伟玲, 张光沉, 韩军, 朱彦旭. AlGaInP大功率发光二极管发光效率与结温的关系. 物理学报, 2011, 60(8): 087206. doi: 10.7498/aps.60.087206
    [19] 罗毅飞, 肖飞, 唐勇, 汪波, 刘宾礼. 续流二极管续流瞬态反向恢复电压尖峰机理研究. 物理学报, 2014, 63(21): 217201. doi: 10.7498/aps.63.217201
    [20] 沈光地, 张剑铭, 邹德恕, 徐 晨, 顾晓玲. 大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究. 物理学报, 2008, 57(1): 472-476. doi: 10.7498/aps.57.472
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-02-01
  • 修回日期:  2015-04-27
  • 刊出日期:  2015-09-20

瞬态大电流测量结温中校温曲线弯曲现象的研究

  • 1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院, 北京 100124;
  • 2. 中国电子科技集团第十三研究所, 石家庄 050051
  • 通信作者: 郭春生, guocs@bjut.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61204081)资助的课题.

摘要: 利用脉宽250 μs、占空比5%的0–1.5 A脉冲电流, 分别在50, 70, 90, 110, 130 ℃条件下, 对TO-247-2L封装型PIN快恢复二极管大电流下的校温曲线进行了测量分析. 研究发现, 恒定大电流条件下, 二极管的校温曲线随温度变化发生弯曲. 分析表明, 弯曲现象主要是由于串联电阻受迁移率的影响随温度发生变化而引起的. 通过实验测量及理论计算, 得到了准确的非线性校温曲线, 从而减小了瞬态大电流测量结温中的误差.

English Abstract

参考文献 (16)

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