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大功率GaN基发光二极管等效串联电阻的功率耗散及其对发光效率的影响

李炳乾 刘玉华 冯玉春

大功率GaN基发光二极管等效串联电阻的功率耗散及其对发光效率的影响

李炳乾, 刘玉华, 冯玉春
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  • 由于自加热效应的存在,大功率GaN基发光二极管(LED)的芯片温度有可能高出环境温度很多,实验中,芯片温度超出环境高达147 K.从实验测量的大功率LED电流电压特性曲线中,将p-n结和等效串联电阻上的电压降落分离出来,得到了大功率LED等效串联电阻随芯片温度的变化情况.在输入电功率自加热效应的影响下,大功率GaN基LED等效串联电阻呈现出剧烈的变化,其阻值由低输入功率时的1.2 Ω降低到0.9 Ω,然后再升高到1.9 Ω,等效串联电阻的功率耗散在输入功率中所占的比例也随着输入功率的增加迅速增加,最高时接
    • 基金项目: 广东省自然科学基金(批准号: 04011642),佛山市科技发展专项基金(批准号:04030021),教育部光电子器件与系统重点实验室开放基金资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-03-14
  • 修回日期:  2007-05-24
  • 刊出日期:  2008-01-15

大功率GaN基发光二极管等效串联电阻的功率耗散及其对发光效率的影响

  • 1. (1)佛山科学技术学院光电子与物理学系,佛山 528000; (2)深圳大学光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,深圳 518060
    基金项目: 

    广东省自然科学基金(批准号: 04011642),佛山市科技发展专项基金(批准号:04030021),教育部光电子器件与系统重点实验室开放基金资助的课题.

摘要: 由于自加热效应的存在,大功率GaN基发光二极管(LED)的芯片温度有可能高出环境温度很多,实验中,芯片温度超出环境高达147 K.从实验测量的大功率LED电流电压特性曲线中,将p-n结和等效串联电阻上的电压降落分离出来,得到了大功率LED等效串联电阻随芯片温度的变化情况.在输入电功率自加热效应的影响下,大功率GaN基LED等效串联电阻呈现出剧烈的变化,其阻值由低输入功率时的1.2 Ω降低到0.9 Ω,然后再升高到1.9 Ω,等效串联电阻的功率耗散在输入功率中所占的比例也随着输入功率的增加迅速增加,最高时接

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