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p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究

刘乃鑫 王怀兵 刘建平 牛南辉 韩 军 沈光地

p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究

刘乃鑫, 王怀兵, 刘建平, 牛南辉, 韩 军, 沈光地
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-07-20
  • 修回日期:  2005-10-20
  • 刊出日期:  2006-03-20

p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究

  • 1. 北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京 100022
    基金项目: 

    北京市自然科学基金(批准号:D0404003040221)和北京工业大学博士科研启动基金 (批准号 :52002014200403)资助的课题.

摘要: 采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓 (p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,发现当温度低于900℃时,材料的电阻率较高 ;在900—980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外,电导性能除与掺杂浓度有关,还与p- GaN生长条件有关,氮镓摩尔比过低导电性能就较差,过高则会引起表面粗糙.采用优化后的 p-GaN制作了绿光发光二极管器件,发现生长温度越低器件发光强度越高,反向电压也越高 ,但正向电压只是略有升高.

English Abstract

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