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硅衬底InGaN/GaN基蓝光发光二极管droop效应的研究

刘木林 闵秋应 叶志清

硅衬底InGaN/GaN基蓝光发光二极管droop效应的研究

刘木林, 闵秋应, 叶志清
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-12-15
  • 修回日期:  2012-03-02
  • 刊出日期:  2012-09-05

硅衬底InGaN/GaN基蓝光发光二极管droop效应的研究

  • 1. 南昌大学材料科学与工程学院, 南昌 330031;
  • 2. 江西师范大学物理与通信电子学院, 南昌 330022
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60967002)资助的课题.

摘要: InGaN/GaN基阱垒结构LED当注入的电流密度较大时, LED的量子效率随注入电流密度增大而下降, 即droop效应.本文在Si (111)衬底上生长了 InGaN/GaN 基蓝光多量子阱结构的LED,通过将实验测量的光电性能曲线与利用ABC模型模拟的结果进行对比, 探讨了droop效应的成因.结果显示:温度下降会阻碍电流扩展和降低空穴浓度, 电子在阱中分布会越来越不平衡,阱中局部区域中因填充了势能越来越高的电子而溢出阱外, 从而使droop效应随着温度的降低在更小的电流密度下出现且更为严重, 不同温度下实验值与俄歇复合模型模拟的结果在高注入时趋势相反.这此结果表明,引起 droop效应的主因不是俄歇非辐射复合而是电子溢出,电子溢出的本质原因是载流子在阱中分布不均衡.

English Abstract

参考文献 (18)

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