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典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估

李小龙 陆妩 王信 郭旗 何承发 孙静 于新 刘默寒 贾金成 姚帅 魏昕宇

典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估

李小龙, 陆妩, 王信, 郭旗, 何承发, 孙静, 于新, 刘默寒, 贾金成, 姚帅, 魏昕宇
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  • 采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤方法的机理.结果显示,变剂量率辐照可以较快地预测实际低剂量率下的辐照损伤趋势,且在较低的总剂量下能够给出不太保守的估计,但其预测的总剂量受到器件退化速度的影响;变温辐照加速评估方法能够保守地估计其低剂量率下的辐照损伤,其评估范围不仅可达1000 Gy (Si),且可将评估时间缩短为12 h左右.研究结果表明,双极电路的低剂量率辐照损伤增强效应与感生的界面态密度和氢化的氧空位缺陷有关,辐照时剂量率和温度的改变会促进界面态的生长,抑制界面态的钝化作用,从而激发器件的辐照损伤潜能.
      通信作者: 陆妩, luwu@ms.xjb.ac.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:U1532261,U1630141)和中国科学院西部之光项目(批准号:2016-QNXZ-B-7)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2018-01-04
  • 修回日期:  2018-02-09
  • 刊出日期:  2018-05-05

典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估

  • 1. 中国科学院新疆理化技术研究所, 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;
  • 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;
  • 3. 中国科学院大学, 北京 100049
  • 通信作者: 陆妩, luwu@ms.xjb.ac.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:U1532261,U1630141)和中国科学院西部之光项目(批准号:2016-QNXZ-B-7)资助的课题.

摘要: 采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤方法的机理.结果显示,变剂量率辐照可以较快地预测实际低剂量率下的辐照损伤趋势,且在较低的总剂量下能够给出不太保守的估计,但其预测的总剂量受到器件退化速度的影响;变温辐照加速评估方法能够保守地估计其低剂量率下的辐照损伤,其评估范围不仅可达1000 Gy (Si),且可将评估时间缩短为12 h左右.研究结果表明,双极电路的低剂量率辐照损伤增强效应与感生的界面态密度和氢化的氧空位缺陷有关,辐照时剂量率和温度的改变会促进界面态的生长,抑制界面态的钝化作用,从而激发器件的辐照损伤潜能.

English Abstract

参考文献 (21)

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